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J-GLOBAL ID：201702244088049022   整理番号：17A1457234

Si基板上に成長させた大面積GaNナノピラー林のリソグラフィー超音波処理パターン形成【Powered by NICT】

Lithographic sonication patterning of large area GaN nanopillar forests grown on a Si substrate

著者 (4件)： Weber J.C. (National Institute of Standards and Technology, 325 Broadway, Boulder, CO 80305, USA) ,  Brubaker M.D. (National Institute of Standards and Technology, 325 Broadway, Boulder, CO 80305, USA) ,  Wallis T.M. (National Institute of Standards and Technology, 325 Broadway, Boulder, CO 80305, USA) ,  Bertness K.A. (National Institute of Standards and Technology, 325 Broadway, Boulder, CO 80305, USA)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 181  ページ： 43-46  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： リソグラフィー超音波処理パターン形成,パターン形成ナノピラー林のための高度にスケーラブルな,材料独立法を提示した。接触リソグラフィーにより,分子ビームエピタクシーによって成長させた窒化ガリウムナノピラー森林を備えた3インチシリコンウエハを横切って書いた次元3μmまでのパターン。標準,紫外リソグラフィー技術をカバーナノピラーを保護することをフォトレジストマスクを定義するために使用した。露出したナノピラーを脱イオン水超音波浴中で局所キャビテーションを経て除去される。超音波処理ストリップはそれらの基部から100nmをnanopillars,更なる処理段階を可能にする,金属蒸着と基板エッチングを含む。応用例として,四端子導電率試験装置を開発した,リソグラフィー超音波処理パターン形成はシリコンデバイス層の平滑,Ohm接触と成功したドライエッチングを可能にした。この方法は一般的に入手可能なクリーンルームツールと互換性があり,より複雑な作製手法に容易に利用可能な代替法を提供し,選択的ナノピラー成長のような。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： Ohm接触 ,  *超音波 ,  MBE成長 ,  ドライエッチング ,  キャビテーション ,  *リソグラフィー ,  電気伝導率 ,  *窒化ガリウム ,  帯板 ,  *パターン形成 ,  試験装置
準シソーラス用語： *ソニケーション ,  *ナノピラー ,  *大面積 ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Nanowires ,  Nanopillars ,  超音波処理 ,  リソグラフィー ,  作製

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： Si基板 ,  成長 ,  大面積 ,  GaN ,  ナノピラー ,  リソグラフィー ,  超音波処理 ,  パターン形成