文献

J-GLOBAL ID：201702244736860113   整理番号：17A0825289

4H-SiCバイポーラ回路のための高いガンマ線耐性【Powered by NICT】

High Gamma Ray Tolerance for 4H-SiC Bipolar Circuits

著者 (8件)： Suvanam Sethu Saveda (KTH Royal Institute of Technology, Kista, SE, Sweden) ,  Kuroki Shin-Ichiro (Research Institute for Nanodevice and Bio Systems, Hiroshima University, Higashi-Hiroshima, Japan) ,  Lanni Luigia (KTH Royal Institute of Technology, Kista, SE, Sweden) ,  Hadayati Raheleh (KTH Royal Institute of Technology, Kista, SE, Sweden) ,  Ohshima Takeshi (National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology (QST), Takasaki, Japan) ,  Makino Takahiro (National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology (QST), Takasaki, Japan) ,  Hallen Anders (KTH Royal Institute of Technology, Kista, SE, Sweden) ,  Zetterling Carl-Mikael (KTH Royal Institute of Technology, Kista, SE, Sweden)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 64  号： 2  ページ： 852-858  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiC回路の高ガンマ放射線硬度を行った。OR NOR回路はエミッタ結合論理(ECL)に基づく,集積バイポーラNPNトランジスタを使用している。個々のバイポーラ接合トランジスタ(BJT)の利得劣化は線量38Mrad(SiO_2)まで最小であるが,332Mrad(SiO_2)の用量で52%の分解が観察された。SiCB JTは温度ストレス下で既存のSi技術と高い安定性よりも高い耐放射線性を示した。酸化物電荷が支配的な再結合が利得劣化に寄与する重要なベース電流再結合機構であることを提案した。利得の改善は,酸化物電荷に寄与する酸化物欠陥のいくつかの可能なアニーリングによる1800秒間の400°Cでのアニーリング後に見られた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  再結合 ,  利得 ,  耐放射線性 ,  ECL【IC】 ,  放射線量 ,  *γ線 ,  酸化物 ,  焼なまし ,  放射線 ,  電荷 ,  バイポーラトランジスタ
準シソーラス用語： ベース電流 ,  NPNトランジスタ ,  *4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 4H-SiC ,  バイポーラ ,  ガンマ線 ,  耐性