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J-GLOBAL ID：201702245249366338   整理番号：17A0644078

β-Ga₂O₃垂直整流器における1.5MeV電子照射損傷

1.5 MeV electron irradiation damage in β-Ga₂O₃ vertical rectifiers

著者 (6件)： Yang Jiancheng (Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611) ,  Ren Fan (Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611) ,  Pearton Stephen J. (Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611) ,  Yang Gwangseok (Department of Chemical and Biological Engineering, Korea University, Seoul 136-713, South Korea) ,  Kim Jihyun (Department of Chemical and Biological Engineering, Korea University, Seoul 136-713, South Korea) ,  Kuramata Akito (Tamura Corporation and Novel Crystal Technology, Inc., Sayama, Saitama 350-1328, Japan)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35  号： 3  ページ： 031208-031208-4  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バルクβ-Ga₂O₃上のエピGa₂O₃の上に作製された垂直整流器に,10^-3Aのビーム電流を固定して,1.79×10¹⁵~1.43×10¹⁶cm^-2のフルエンスで1.53MeVの電子照射を行った。電子照射はエピGa₂O₃内のキャリア密度を減少させる(キャリア脱離速度は4.9cm^-1)。順電流-電圧特性の2kT領域は電子誘起損傷のために増加し,ダイオードの理想因子は最高のフルエンスのとき~8%増加し,オン状態抵抗は2桁以上増加する。逆バイアス電流は顕著に減少し,電子フルエンスとともに小さくなる。逆バイアス電圧が-10V時のオン/オフ比は,電子照射により大きく劣化し,1.43×10¹⁶cm^-2のフルエンス時に,参照ダイオードの~10⁷から~2×10⁴へと減少する。逆回復特性は最高のフルエンスでもほとんど変化せず,すべての整流器に対し21~25nsの範囲にある。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電子照射 ,  *照射損傷 ,  *酸化ガリウム ,  *整流器 ,  *ホモエピタクシー ,  フルエンス ,  1-10MeV ,  電流電圧特性 ,  因子 ,  薄膜 ,  比率 ,  電流 ,  ダイオード ,  *化合物半導体
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  理想因子

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： β-Ga2O3 ,  垂直 ,  整流器 ,  電子照射 ,  損傷