OZAWA Kenichi について
Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN について
YAMAMOTO Susumu について
Univ. Tokyo, Chiba, JPN について
YUKAWA Ryu について
Univ. Tokyo, Chiba, JPN について
LIU Roya について
Univ. Tokyo, Chiba, JPN について
EMORI Masato について
Sophia Univ., Tokyo, JPN について
INOUE Koki について
Sophia Univ., Tokyo, JPN について
HIGUCHI Taku について
Sophia Univ., Tokyo, JPN について
SAKAMA Hiroshi について
Sophia Univ., Tokyo, JPN について
MASE Kazuhiko について
High Energy Accelerator Res. Organization (KEK), Ibaraki, JPN について
MASE Kazuhiko について
SOKENDAI (Graduate Univ. for Advanced Studies), Ibaraki, JPN について
MATSUDA Iwao について
Univ. Tokyo, Chiba, JPN について
Journal of Physical Chemistry C について
酸化チタン について
表面 について
光ポンピング について
キャリア寿命 について
緩和現象 について
ポンププローブ法 について
紫外レーザ について
光起電力 について
緩和時間 について
スパッタリング について
高さ について
正孔 について
点欠陥 について
二酸化チタン について
酸素欠陥 について
障壁高さ について
光伝導,光起電力 について
半導体の表面構造 について
TiO2 について
光励起 について
キャリア寿命 について