文献

J-GLOBAL ID：201702245618876945   整理番号：17A1220474

SiC光電陰極に関するスペクトル応答,キャリア寿命および光電流

Spectral response, carrier lifetime, and photocurrents of SiC photocathodes

著者 (6件)： KATO Masashi (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN) ,  MIYAKE Keiko (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN) ,  YASUDA Tomonari (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN) ,  ICHIMURA Masaya (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN) ,  HATAYAMA Tomoaki (Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  OHSHIMA Takeshi (Japan Atomic Energy Agency, Gunma, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55  号： 1S  ページ： 01AC02.1-01AC02.4  発行年： 2016年01月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化ケイ素(SiC)光電陰極は,太陽光から水素気体へのエネルギー変換に対する候補の一つである。SiC光電陰極を用いた変換効率は,実際の利用に対してはまだ低い。本研究で,著者らは,低変換効率の起源を見出すため,SiC光電陰極でのキャリア寿命および空乏層厚を評価し,それらと光電流との関係を吟味した。さらに,著者らは,光陰極からの光電流のスペクトル応答を観測した。これらの結果から,著者らは,キャリア寿命および空乏層厚の増大が,4H-および6H-SiCに対する変換効率の増大に対して効果的であることを見出した。3C-SiCは,有効キャリア寿命を低減する欠陥を有するので,この種の欠陥の減少は,3C-SiCを用いる変換効率増大に対して重要であることを指摘した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *光電陰極 ,  *炭化ケイ素 ,  ポリタイプ ,  六方晶系 ,  立方晶系 ,  空乏層 ,  応答 ,  キャリア寿命 ,  *光電流 ,  *効率 ,  光電効果 ,  スペクトル応答 ,  *光電変換効率

分類 (1件)： 光電デバイス一般  (NC03081P)

引用文献 (29件)：

• W. Grochala and P. P. Edwards, Chem. Rev. 104, 1283 (2004).
• I. Akkerman, M. Janssen, J. Rocha, and R. H. Wijffels, Int. J. Hydrogen Energy 27, 1195 (2002).
• K. Maeda and K. Domen, J. Phys. Chem. Lett. 1, 2655 (2010).
• A. J. Bard and M. A. Fox, Ace. Chem. Res. 28, 141 (1995).
• D. A. Tryk, A. Fujishima, and K. Honda, Electrochim. Acta 45, 2363 (2000).

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC ,  光電陰極 ,  スペクトル応答 ,  キャリア寿命 ,  光電流