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J-GLOBAL ID：201702246086797332   整理番号：17A0362439

スケーリングされたCMOS技術における金属ゲート/high-kトランジスタのための回路信頼性相関する装置【Powered by NICT】

Device to circuit reliability correlations for metal gate/high-k transistors in scaled CMOS technologies

著者 (1件)： Kerber A. (Reliability Engineering, GLOBALFOUNDRIES Inc., 400 Stone Break Road extension, Malta, NY 12020, USA)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 64  ページ： 145-151  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属ゲート/高kスタックは45nm技術ノード以降のCMOS製造した。技術性能と収量目標を達成するために,ゲートスタック信頼性は常に挑戦されている。CMOS製品に関連する信頼性リスクの評価装置の確実な理解に及ぼす回路信頼性相関に依存している。本論文では,デバイスの信頼性と回路劣化の間の相関に関する知見を要約し,に焦点を当てた将来の研究の領域を強調した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *信頼性 ,  *トランジスタ ,  *CMOS ,  *回路信頼性 ,  *CMOS技術
準シソーラス用語： ゲートスタック ,  *メタルゲート , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： 高k誘電体 ,  金属ゲート ,  BTI ,  TDDB ,  RTN ,  SRAM ,  リング発振器 ,  CMOS

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： スケーリング ,  CMOS技術 ,  金属ゲート ,  トランジスタ ,  回路信頼性 ,  相関