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J-GLOBAL ID：201702246453772663   整理番号：17A0874547

マイクロ波GaN FET高速スイッチング電源の熱・電気連成シミュレーション

Electro-Thermal Simulation of Microwave GaN FET Fast-Switching Power Supply

著者 (2件)： 日浦滋 (電通大) ,  石川亮 (電通大)
資料名： エレクトロニクス実装学会誌  (Journal of Japan Institute of Electronics Packaging)
巻： 20  号： 4  ページ： 211-218  発行年： 2017年07月01日 
JST資料番号： S0579C  ISSN： 1343-9677  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高電圧動作が可能なマイクロ波GaN FETを用いた高速スイッチング電源では大電力動作による自己発熱が設計精度に影響を与えることが確認されており,その詳細を調べるために熱・電気連成シミュレーションに基づき解析を行った。スイッチング周波数を10MHzから数GHzに変えたときのシミュレーション結果と簡略化された理論値とを比較したところ,高い周波数において出力電力,電力効率,GaN FETの動作温度に違いが現れた。また,パルス幅変調により出力電圧が変調周波数2.5MHzで変化する場合,GaN FETの動作温度は時間的変動を示し,その変動幅は周囲温度からの上昇値の44%程度であることが推定された。(著者抄録)

シソーラス用語： *スイッチングレギュレータ ,  *マイクロ波トランジスタ ,  *窒化ガリウム ,  *FET【トランジスタ】 ,  周波数 ,  *等価回路 ,  熱回路網 ,  *シミュレーション ,  *電力効率 ,  基地局 ,  送信機 ,  *発熱 ,  *熱分析 ,  *数値解析 ,  過渡応答 ,  熱応答 ,  *動作分析 ,  *放射伝熱 ,  *電磁波 ,  *波動
準シソーラス用語： *熱放射 ,  スイッチング周波数 ,  連成解析

分類 (2件)： 電源回路  (NC05060Q) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (18件)：

• 1) 金 東海:“パワースイッチング工学,”電気学会,2014年,(電気学会大学講座)
• 2) 高田賢治,津田邦男:“AlGaN/GaN HEMTパワーデバイス,”東芝レビュー,Vol. 59, No. 7, pp. 35-38, 2004
• 3) A. Disserand, P. Bouysse, A. Martin, R. Quere, O. Jardel, and L. Lapierre: “A new high speed and high efficiency GaN HEMT switching cell for envelope tracking modulators,” Proceedings of the 46th European Microwave Conference, pp. 281-284, 2016
• 4) M. Rodriguez, Y. Zhang, and D. Maksimovic: “High-frequency PWM buck converters using GaN-on-SiC HEMTs,” IEEE Trans. Power Electronics, Vol. 29, No. 5, pp. 2462-2473, May 2014
• 5) 小野 哲,マウロ チャパ,日浦 滋,高木茂行:“GaN HEMT素子の熱・電気連成シミュレーション,”電子情報通信学会論文誌 C,Vol. J97-C, No. 11, pp. 391-399, 2014

タイトルに関連する用語 (5件)： マイクロ波 ,  GAN ,  FET ,  スイッチング電源 ,  シミュレーション