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J-GLOBAL ID：201702246692560994   整理番号：17A0047743

高性能ミリ波応用のための損傷のない中性ビームエッチングしたゲートリセス部を有するAlGaN/GaN HEMT

AlGaN/GaN HEMTs With Damage-Free Neutral Beam Etched Gate Recess for High-Performance Millimeter-Wave Applications

著者 (11件)： Lin Yen-Ku (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Noda Shuichi (Institute of Fluid Science, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Lo Hsiao-Chieh (Institute of Photonic System, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Liu Shih-Chien (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Wu Chia-Hsun (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Wong Yuen-Yee (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Luc Quang Ho (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Chang Po-Chun (Department of Electronics Engineering, Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Hsu Heng-Tung (International College of Semiconductor Technology, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Samukawa Seiji (Institute of Fluid Science, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Chang Edward Yi (Department of Materials Science and Engineering and the Department of Electronic Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 37  号： 11  ページ： 1395-1398  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 損傷のない中性ビームエッチング(NBE)法を用いて作製したゲートリセス部を有するAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)の電気的性能を実証した。NBE法は,従来の誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング法における紫外線/VUV光子照射により発生するプラズマ誘発欠陥を除去することができた。新しいゲートリセスプロセスを用いて作製したAlGaN/GaN HEMTデバイスは,最大ドレイン電流密度(I_DS,max)が1.54A/mm,低1/fノイズ,電流利得カットオフ周波数(f_T)が153GHz,最大発振周波数(f_MAX)が167GHz,最小雑音指数(NF_min)が3.28dBであり,54GHzでの関連利得(G_AS)が5.06dBであった。このような優れた特性からミリ波応用のためのGaNデバイスにおける損傷のないNBEプロセスの採用の固有の利点を確認した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT ,  *中性粒子ビーム ,  *エッチング ,  損傷 ,  素子構造 ,  リセス構造 ,  *窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム ,  *ビーム
準シソーラス用語： *AlGaN/GaN ,  中性ビーム

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (10件)： 高性能 ,  ミリ波 ,  応用 ,  損傷 ,  中性ビーム ,  エッチング ,  ゲート ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT