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J-GLOBAL ID：201702246948880270   整理番号：17A0462178

グラフェン-酸化物を添加したポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン):ポリ(スチレンスルホン酸)中間層を有するAl/p型Siショットキー整流器のショットキー障壁特性の改変

Modification of Schottky barrier properties of Al/p-type Si Schottky rectifiers with graphene-oxide-doped poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfonate) interlayer

著者 (9件)： Janardhanam Vallivedu (School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Research Center (SPRC), Chonbuk National University, Jeonju 561-756, South Korea) ,  Jyothi Inapagundla (School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Research Center (SPRC), Chonbuk National University, Jeonju 561-756, South Korea) ,  Yuk Shim-Hoon (School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Research Center (SPRC), Chonbuk National University, Jeonju 561-756, South Korea) ,  Choi Chel-Jong (School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Research Center (SPRC), Chonbuk National University, Jeonju 561-756, South Korea) ,  Yun Hyung-Joong (Advanced Nano Surface Research Group, Korea Basic Science Institute, Daejeon 305-806, South Korea) ,  Won Jonghan (Advanced Nano Surface Research Group, Korea Basic Science Institute, Daejeon 305-806, South Korea) ,  Hong Won-Gi (Nano-Bio Electron Microscopy Research Group, Korea Basic Science Institute, Daejeon 305-806, South Korea) ,  Lee Sung-Nam (Department of Nano-Optical Engineering, Korea Polytechnic University, Siheung 429-793, South Korea) ,  Rajagopal Reddy Varra (Department of Physics, Sri Venkateswara University, Tirupati 517 502, India)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35  号： 2  ページ： 021212-021212-6  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Al/p型Siショットキーダイオードの電気的および化学的性質に対する,ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン):ポリ(スチレンスルホン酸)(PEDOT:PSS)中間層へのグラフェン酸化物(GO)添加の影響を明らかにした。中間層内で0.05および0.1wt.%のGO濃度が用いられた。GOを添加したPEDOT:PSS中間層を有するAl/p型Siショットキーダイオードの障壁高さは,添加なしのPEDOT:PSSを有するダイオードに比べて高かった。紫外線光電子分光測定により,これはPEDOT:PSS中間層とAl膜との間の正孔注入障壁のGO添加による変化と大きく関係していることがわかった。0.05wt.%のGOをPEDOT:PSS中間層に加えると,PEDOTのPSSに対する比率が上昇し,その結果導電率が上昇した。しかし,0.1wt.%のGOを添加したPEDOT:PSSの導電率は低下した。x線光電子分光の結果によると,これはPEDOT:PSS中の絶縁性GOの含有量が増したことに起因すると考えられる。より高い順バイアスにおいて,添加なしおよびGO添加のPEDOT:PSS中間層を有するAl/p型Siショットキーダイオードの前方log I-log Vプロットの分析によると,異なる空間電荷制限電流輸送機構が明らかになり,これはGOから生ずる付加的トラップと関連がある。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *アルミニウム ,  *P型半導体 ,  *ケイ素 ,  Schottky障壁 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  *層 ,  ポリエチレンジオキシチオフェン ,  ポリスチレンスルホン酸 ,  *ポリマブレンド ,  *添加物効果 ,  グラフェン ,  *酸化物 ,  高さ ,  光電子分光法 ,  電気伝導率 ,  X線光電子分光法 ,  *空間電荷制限電流 ,  不純物準位
準シソーラス用語： Schottkyダイオード ,  *中間層 ,  PEDOT:PSS ,  *グラフェン酸化物 ,  障壁高さ ,  紫外線光電子分光法 ,  導電率

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (11件)： グラフェン ,  酸化物 ,  スチレンスルホン酸 ,  中間層 ,  Al ,  P型Si ,  ショット ,  キー ,  整流器 ,  ショットキー障壁 ,  改変