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J-GLOBAL ID：201702247087885618   整理番号：17A1544968

SiCパワーMOSFETモジュールの加速サイクル試験における劣化速度に及ぼす金型劣化の影響【Powered by NICT】

Die degradation effect on aging rate in accelerated cycling tests of SiC power MOSFET modules

著者 (4件)： Luo Haoze (Department of Energy Technology, Aalborg University, Aalborg, Denmark) ,  Baker Nick (Department of Energy Technology, Aalborg University, Aalborg, Denmark) ,  Iannuzzo Francesco (Department of Energy Technology, Aalborg University, Aalborg, Denmark) ,  Blaabjerg Frede (Department of Energy Technology, Aalborg University, Aalborg, Denmark)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 76-77  ページ： 415-419  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金型とボンドワイヤ劣化を識別するために,本論文でSiC MOSFETモジュールのダイと結合ワイヤ抵抗の両方が加速サイクリング試験中に測定した,試験した。は,特定の条件下で金型劣化は温度スイングを増加させるので,ボンドワイヤは予想より厳しい熱機械的応力を受けることを証明した。実験結果は金型関連熱破壊機構を確認した。改善された分解モデルを金型分解の場合におけるボンドワイヤ抵抗増加のために提案した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *繰返し試験 ,  *MOSFET ,  *炭化ケイ素 ,  金属線
準シソーラス用語： 破壊機構 ,  機械的ストレス ,  *パワーMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC ,  パワーMOSFET ,  モジュール ,  加速 ,  サイクル試験 ,  金型