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J-GLOBAL ID：201702247625222233   整理番号：17A0633179

GaNパワートランジスタのための絶縁ゲートと表面不動態化構造

Insulated gate and surface passivation structures for GaN-based power transistors

著者 (3件)： YATABE Zenji (Kumamoto Univ., Kumamoto, JPN) ,  ASUBAR Joel T (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  HASHIZUME Tamotsu (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 49  号： 39  ページ： 393001,1-19  発行年： 2016年10月05日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ガリウム(GaN)を用いた半導体素子がSiベース素子を代替する候補として注目されている。GaNを用いた代表的な高出力,高周波数素子として,高電子移動度トランジスタ(HEMT)が適しているとされる。しかしながら,HENTにはいくつかの克服すべき欠点がある。その問題を回避するためにMIS構造が提案されている。しかしながら,この構造中の絶縁体/窒化物半導体間界面の特性は完全には明らかになっていない。例えば,HEMT MISキャパシタにおける界面トラップ密度の低さが報告されているが,それらの評価には疑問がある。本稿において,AlGaN/GaNを例に,上に指摘した様なHEMT MIS構造における現在の問題点を解説した。ついで,GaN MIS構造の界面の電気的,構造的性質を論じた。著者らが開発した新奇なMIS構造の評価法を解説し,最後に,GaN MIS界面の理解における重要な進展について述べた。

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *電力トランジスタ ,  *不動態化 ,  ゲート絶縁膜 ,  HEMT ,  MIS構造 ,  *界面 ,  薄膜コンデンサ ,  キャリア捕獲 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  容量電圧特性 ,  表面準位 ,  表面不動態化 ,  界面トラップ ,  *窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム ,  窒化アルミニウムガリウム ,  *改変
準シソーラス用語： *AlGaN/GaN ,  *パワートランジスタ ,  MISキャパシタ ,  AlGaN ,  界面状態

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  パワートランジスタ ,  絶縁 ,  ゲート ,  表面不動態化