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J-GLOBAL ID：201702248387307003   整理番号：17A0362567

Al薄膜線におけるエレクトロマイグレーションへの局所熱散逸の影響【Powered by NICT】

Influence of local thermal dissipation on electromigration in an Al thin-film line

著者 (3件)： Li Yuan (Department of Nanomechanics, Tohoku University, Aoba 6-6-01, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan) ,  Lee Hsin-Tzu (Department of Nanomechanics, Tohoku University, Aoba 6-6-01, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan) ,  Saka Masumi (Department of Nanomechanics, Tohoku University, Aoba 6-6-01, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 65  ページ： 178-183  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 集積回路中のAl薄膜配線の信頼性を改善するために,エレクトロマイグレーション(EM)に対する局所熱散逸の影響を調べた。特殊設計によるAl薄膜線の電流ストレス実験を行うことにより,四種類の代表的な帯周辺ヒロック/ボイドの独特な分布を見出した。基になる機構は,有限要素解析による対応する原子フラックス発散を調べることにより説明した。カソードでアノードとボイドでヒロックと一般的EM現象とは異なり,ヒロック/ボイドのこのようなユニークな分布は,電圧測定パッドにより誘起された局所熱散逸の影響を示した。さらに,Al薄膜系における電圧測定パッドの位置を変えることにより,局所的な熱散逸の位置は,線の中心から離れた場合,エレクトロマイグレーション耐性が高いことが分かった。この発見は,Al薄膜線のエレクトロマイグレーション耐性を改善し,従って対応するデバイスの信頼性を向上するための有益な洞察を提供した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 配線 ,  *エレクトロマイグレーション ,  信頼性 ,  電圧測定 ,  *アルミニウム ,  パッド ,  集積回路 ,  *薄膜
準シソーラス用語： 有限要素解析 ,  ヒロック ,  電流ストレス ,  *熱散逸 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Al薄膜線 ,  電流ストレス ,  原子フラックス発散 ,  エレクトロマイグレーション ,  局所熱散逸

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： Al ,  薄膜 ,  エレクトロマイグレーション ,  熱散逸