窒化けい素薄膜へのA LD Al_2O_3の直接結合【Powered by NICT】

Lagana S.; Mikkelsen E.K.; Marie R.; Hansen O.; Molhave K.

文献

J-GLOBAL ID：201702248846567541 整理番号：17A0969272

窒化けい素薄膜へのA LD Al_2O_3の直接結合【Powered by NICT】

Direct bonding of ALD Al₂O₃ to silicon nitride thin films

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=17A0969272&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=17A0969272&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0406B") }}

著者 (5件)： , , , ,
資料名：
巻： 176 ページ： 71-74 発行年： 2017年
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

直接結合は表面前処理なしに低温でシリコンベース表面の結合のための新しい接合技術である。本研究の主な目的は,酸化アルミニウムの原子層蒸着を使用すると,低温アニーリング結合強度を改善することにより,その場透過型電子顕微鏡(TEM)用のナノ流体システムのための製造プロセスを強化するための新しい技術を開発することである。支持用の事前被覆前に前処理なしで室温から600°Cまでの温度から焼なましAl_2O_3 Si_xN_y(低応力シリコンリッチ窒化物)とAl_2O_3 Si_3N_4(化学量論の窒化物)薄膜の結合を調べ,特性化した。Al_2O_3 Si_xN_yとAl_2O_3 Si_3N_4の結合は室温から600°Cまでの温度範囲で有利であることが分かった。は1300±150mJ/m~2の結合強度に匹敵し,他の材料のそれよりも高い場合におけるAl_2O_3はに結合されていることを報告した。予備試験は約100nm高チャネル成功裏に接合をもつ明確なナノチャネルシステムを実証し,光蛍光法を用いた漏れに対する試験と液体試料の透過型電子顕微鏡(TEM)特性化についても報告した。さらに,電流結合方法をMEMS応用にも使用できる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

, , , , , , , , , , , , , ,
, 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： , , ,

固体デバイス製造技術一般

, ,

前のページに戻る