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J-GLOBAL ID：201702249107156534   整理番号：17A0126652

異なる結晶方位におけるCu/SiN界面の分離に要するエネルギーの力学的評価

著者 (12件)： CHEN Chuantong (名古屋工大) ,  宍戸信之 ,  小岩康三 ,  神谷庄司 ,  大宮正毅 (慶応大) ,  大宮正毅 (JST) ,  佐藤尚 ,  西田政弘 ,  鈴木貴志 (富士通研) ,  中村友二 (富士通研) ,  鈴木俊明 ,  野久尾毅
資料名： 日本機械学会年次大会講演論文集(CD-ROM)  (日本機械学会年次大会(CD-ROM))
巻： 2014  ページ： ROMBUNNO.J2240407  発行年： 2014年09月06日 
JST資料番号： X0587C  ISSN： 2424-2667  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 近年の半導体デバイス内部構造で弱いとされるCu薄膜配線/SiN絶縁膜の界面強度はそのCu薄膜表面の不均質な結晶粒構造に依存し,局所的な結晶粒構造の特性を直接反映した界面強度の定量評価が信頼性設計に向けた重要な課題になった。本研究では,方位(010),(110)と(111)Cu単結晶/SiN界面構造体を作製し,各構造上の破壊試験と結晶塑性界面き裂進展シミュレーションを用いた完全に界面Cu/SiN分離に要するエネルギーの評価を行った。それと銅の結晶方位との相関関係を調査した。(著者抄録)

シソーラス用語： *結晶方位 ,  界面 ,  *強度 ,  銅 ,  亀裂伝搬 ,  *配線 ,  *絶縁膜 ,  窒化ケイ素 ,  *分離エネルギー
準シソーラス用語： *界面強度 ,  Cu ,  亀裂進展 ,  窒化シリコン

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 結晶方位 ,  Cu ,  SiN ,  界面 ,  エネルギー ,  力学 ,  評価