文献

J-GLOBAL ID：201702249509559124   整理番号：17A1445705

圧縮座屈による自発的剥離は再利用可能なGaAs基板からの大規模βGa_2O_3薄膜移動を促進する【Powered by NICT】

Spontaneous delamination via compressive buckling facilitates large-scale β-Ga₂O₃ thin film transfer from reusable GaAs substrates

著者 (4件)： Kaya Ahmet (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Davis, CA, USA) ,  Dryden Daniel M. (Department of Materials Science and Engineering, University of California, Davis, CA, USA) ,  Woodall Jerry M. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Davis, CA, USA) ,  Islam M. Saif (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Davis, CA, USA)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 10  ページ： ROMBUNNO.201700102  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： センチメートルスケールの次元を持つ大面積,高品質βGa_2O_3ナノスケール薄膜の自発的剥離による作製と移動は,再利用可能なGaAs基板の熱酸化により実証した。膜はX線回折,エネルギー分散分光法,Raman分光法及び走査電子顕微鏡を用いて特性化した。膜は,信頼性のある移動を促進する良好な機械的柔軟性を示した。金によるβGa_2O_3膜の光学バンドギャップとSchottky障壁高さはそれぞれ4.8及び1.03eVであった。移転可能なβGa_2O_3薄膜の電気的および光学的性質は,ソーラブラインド光検出器への応用の可能性を示した。ここで移動βGa_2O_3膜のスケールは,研究者たちが四桁以上のこれまで報告されているか超えている。移した膜の巨視的寸法は高い熱伝導率を有する基板への移動を経るβGa_2O_3の低い熱伝導度のための治療を提供するかもしれない。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *薄膜 ,  熱酸化 ,  光学的性質 ,  走査電子顕微鏡 ,  X線回折 ,  *再利用 ,  光検出器 ,  光学ギャップ ,  熱伝導率 ,  Raman分光法
準シソーラス用語： Schottky障壁高さ ,  エネルギー分散分光法 ,  高品質 ,  大面積 ,  *GaAs基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 2D膜 ,  ナノスケール合成 ,  オプトエレクトロニクス素子 ,  転写な染 ,  ワイドバンドギャップ半導体

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 座屈 ,  GaAs基板 ,  大規模 ,  薄膜 ,  促進