文献

J-GLOBAL ID：201702249701688531   整理番号：17A0965954

超低電力VLSIプロセッサのための自己終端書込み機構を持つ3端子MTJに基づく不揮発性論理回路【Powered by NICT】

Three-terminal MTJ-based nonvolatile logic circuits with self-terminated writing mechanism for ultra-low-power VLSI processor

著者 (4件)： Hanyu Takahiro (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, Japan) ,  Suzuki Daisuke (Frontier Research Institute for Interdisciplinary Science, Tohoku University, Japan) ,  Onizawa Naoya (Frontier Research Institute for Interdisciplinary Science, Tohoku University, Japan) ,  Natsui Masanori (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： DATE  ページ： 548-553  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁気トンネル接合(MTJ)に基づく非揮発性論理回路はCMOSのみベースVLSIプロセッサに焦点を当てて深刻な電力消費問題を解決するいくつかの可能性がある。このような不揮発性論理回路を実現する不揮発性記憶装置として三端子磁気トンネル接合(MTJ)素子は,有望な候補である。しかし,その書き込みエネルギーは従来のCMOSのみベース論理回路と比較してまだ重大である。本論文では,自己停止機構を有する新しいMTJ型不揮発性論理回路を提案し,そのエネルギー効率は対応する以前の研究と比較して評価した。さらに,確率的MTJスイッチング挙動を考慮したコンピュータ支援設計(CAD)ツールと突然電源故障に対して弾力性のある「金型ハード」VLSIプロセッサへの応用など,MTJ型不揮発性論理回路設計とその応用に関連したいくつかの最近の研究トピックスも実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 弾性 ,  CMOS ,  スイッチング ,  *非揮発性 ,  回路設計 ,  電力消費 ,  *超LSI ,  CAD【計算機】 ,  *論理回路 ,  不揮発性メモリ ,  *演算プロセッサ ,  故障 ,  エネルギー効率
準シソーラス用語： 磁気トンネル接合 ,  *超低消費電力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (9件)： 低電力 ,  VLSI ,  プロセッサ ,  自己 ,  終端 ,  書込み ,  MTJ ,  不揮発性 ,  論理回路