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J-GLOBAL ID：201702249897774444   整理番号：17A0465696

チタン酸ビスマス中間層を有するn-Siショットキーバリアダイオードの電気的および誘電特性:温度の影響

Electrical and Dielectric Properties of a n-Si Schottky Barrier Diode with Bismuth Titanate Interlayer: Effect of Temperature

著者 (4件)： YILDIRIM M. (Duezce Univ., Duezce, TUR) ,  SAHIN C. (Gazi Univ., Ankara, TUR) ,  ALTINDAL S. (Gazi Univ., Ankara, TUR) ,  DURMUS P. (Gazi Univ., Ankara, TUR)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 46  号： 3  ページ： 1895-1901  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンウェーハを用いたショットキバリアダイオード(SBD)の製作は膨大な研究課題であり,空気暴露によりシリコン上に自然薄いSiO₂が形成されることは既によく知られている。したがって,製造されたSBDは,基本的に金属-絶縁体-半導体(MIS)タイプのSBDになり,このような絶縁層が金属と半導体との間に存在すると,デバイスの電気的及び誘電的特性にばらつきが生じる。本研究では,上記の説明に鑑みて,金属-強誘電体-半導体(MFS)タイプのSBD;すなわち,Au/Bi₄Ti₃O₁₂/n-Si SBDを作製し,アドミタンスデータを用いてSBDの電気的および誘電的特性を調べた。本研究では,直列抵抗,ドナー原子の濃度,バリア高さ,誘電定数および弾性率の虚数および実数部,およびAC導電率などのSBDの電気的および誘電的パラメータが温度によってどのように影響を受けるかを調べた。500kHzでのアドミタンス測定により120-380Kの広い温度範囲でAu/Au/Bi₄Ti₃O₁₂/n-Si SBD SBDの電気的および誘電的特性を調べた。温度はデバイスの特性にかなりの変化を引き起こすことが判明した。温度が上昇すると,低い直列抵抗と高いコンダクタンスが得られ,温度による静電容量の変化は2つの反対の挙動をもたらした。基本的には,Au/Bi₄Ti₃O₁₂/n-Si SBDの電気的および誘電的パラメータは,低温および高温領域で異なる温度応答を示した。

シソーラス用語： *チタン酸塩 ,  *ビスマス化合物 ,  層 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  *ケイ素 ,  交流 ,  *強誘電体
準シソーラス用語： チタン酸ビスマス ,  中間層 ,  N型シリコン ,  電気的アドミタンス

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (5件)： チタン酸ビスマス ,  中間層 ,  Si ,  ショットキーバリアダイオード ,  誘電特性