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J-GLOBAL ID：201702250039287967   整理番号：17A1709366

一次元三ニッケル(II)錯体のスピン構造と電子伝導率の間の関係に関する理論的研究【Powered by NICT】

Theoretical study on relationship between spin structure and electron conductivity of one-dimensional tri-nickel(II) complex

著者 (11件)： Kitagawa Yasutaka (Division of Chemical Engineering, Department of Engineering Science, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, 1-3 Machikaneyama, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan) ,  Kitagawa Yasutaka (Center for Spintronics Research Network (CSRN), Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan) ,  Asaoka Mizuki (Division of Chemical Engineering, Department of Engineering Science, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, 1-3 Machikaneyama, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan) ,  Natori Yoshiki (Division of Chemical Engineering, Department of Engineering Science, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, 1-3 Machikaneyama, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan) ,  Miyagi Koji (Division of Chemical Engineering, Department of Engineering Science, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, 1-3 Machikaneyama, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan) ,  Teramoto Rena (Division of Chemical Engineering, Department of Engineering Science, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, 1-3 Machikaneyama, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan) ,  Matsui Toru (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, 1-1-1, Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8577, Japan) ,  Shigeta Yasuteru (Center for Computational Science, University of Tsukuba, 1-1-1, Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8577, Japan) ,  Okumura Mitsutaka (Graduate School of Science, Osaka University, 1-1 Machikaneyama, Toyonaka, Osaka 560-0043, Japan) ,  Nakano Masayoshi (Division of Chemical Engineering, Department of Engineering Science, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, 1-3 Machikaneyama, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan) ,  Nakano Masayoshi (Center for Spintronics Research Network (CSRN), Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan)
資料名： Polyhedron  (Polyhedron)
巻： 136  ページ： 125-131  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0301B  ISSN： 0277-5387  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論(DFT)とGreen関数法に基づいた計算研究を,一次元(1 D)三ニッケル(II)錯体の電子伝導度はそれらの磁気結合状態と構造に依存して変化することを明らかにした。強磁性(FM)状態は,反強磁性(A FM)状態と比較して,高い伝導率(~89倍)を示した。DFT計算の分子軌道の解析から,軸イソチオシアナート(NCS)配位子とAu電極間の反結合軌道がFM状態の特徴は,高い導電性の起源であるに広く非局在化することを見出した。今回の結果は,開殻一次元金属錯体に基づく新しい分子スイッチを実現するための道を開くに寄与している。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 強磁性 ,  分子スイッチ ,  イソチオシアン酸塩 ,  導電性 ,  *錯体 ,  密度汎関数法 ,  金 ,  反強磁性 ,  *一次元 ,  Green関数 ,  金属錯体 ,  分子軌道 ,  非局在化 ,  *伝導率 ,  *電子伝導 ,  スイッチ

著者キーワード (5件)： EMAC ,  一次元ニッケル(II)錯体 ,  電子伝導率 ,  密度汎関数理論 ,  Green関数理論

分類 (2件)： 遷移金属元素(鉄族元素を除く)の錯体の結晶構造  (BK09030X) ,  第11族,第12族元素の錯体  (CE01050Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： ニッケル ,  錯体 ,  スピン構造 ,  電子伝導率 ,  理論 ,  研究