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J-GLOBAL ID：201702250668981016   整理番号：17A0462186

HfLa_xTi_yO_z電荷捕獲層を有する金属-酸化物-半導体構造の不揮発性メモリの電気的および物理的特性

Electrical and physical characteristics of metal-oxide-semiconductor structured nonvolatile memory with HfLa_xTi_yO_z charge trapping layers

著者 (3件)： Jeng Jin-Tsong (Department of Computer Science and Information Engineering, National Formosa University, Yunlin 63201, Taiwan) ,  Li Yan-Lin (Department of Computer Science and Information Engineering, National Formosa University, Yunlin 63201, Taiwan) ,  Cheng Chin-Lung (Department of Electro-Optical Engineering, National Formosa University, Yunlin 63201, Taiwan)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35  号： 2  ページ： 022203-022203-8  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Hf₂La₂O₇誘電体に埋め込まれたHfLa_xTi_yO_z薄膜は,不揮発性メモリ(NVM)のための金属-酸化物-半導体(MOS)構造の電荷捕獲層(CTL)として報告された。まず,様々な成膜後アニール条件で処理されたHfLa_xTi_yO_z CTLを有するNVMのためのMOS構造の,物理的および電気的な特性を調査した。次に,電気的性質と信頼性(ヒステリシスウィンドウ,プログラミング/消去(P/E)時間,耐久性,MOS構造の維持など)を,HfLa_xTi_yO_z CTLに取り込まれた様々なTiおよびOの含有量との関連で調べた。その結果,±7Vの範囲を走査することで,2.7Vのヒステリシスウィンドウが実現されることを示した。HfLa_xTi_yO_z CTLについて,±7Vの範囲をC-Vヒステリシス掃引して,電荷捕獲状態の密度は2.03±0.06×10¹³cm^-2と見積もった。良好な性能(10⁴回のP/E後にもメモリウィンドウの狭まりは小さく,10年後でも電荷の損失は7%)が,チタン含有量17.79±0.53%および酸素含有量70.89±2.13%のHfLa_xTi_yO_z CTLに関して示された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  *MOS構造 ,  層 ,  *誘電体 ,  *埋込み【挿入】 ,  *ランタン化合物 ,  *酸素酸塩 ,  ハフニウム化合物 ,  *チタン酸塩 ,  信頼性 ,  耐久性 ,  *容量電圧特性 ,  キャリア捕獲 ,  ヒステリシス
準シソーラス用語： 電荷捕獲層 ,  ランタン酸塩 ,  電荷捕獲

分類 (1件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電荷捕獲 ,  酸化物 ,  不揮発性メモリ ,  物理的特性