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J-GLOBAL ID：201702250807425764   整理番号：17A0539992

多重接合GaInP/GaAs/Ge太陽電池のためのInGaAs量子ドットベースの増強した光電流を伴うGaAsサブセル

InGaAs quantum well-dots based GaAs subcell with enhanced photocurrent for multijunction GaInP/GaAs/Ge solar cells

著者 (15件)： MINTAIROV S A (Ioffe Physical-Techical Inst., St Petersburg, RUS) ,  MINTAIROV S A (St Petersburg Academic Univ., St Petersburg, RUS) ,  MINTAIROV S A (Solar Dots Ltd, St Petersburg, RUS) ,  KALYUZHNYY N A (Ioffe Physical-Techical Inst., St Petersburg, RUS) ,  KALYUZHNYY N A (St Petersburg Academic Univ., St Petersburg, RUS) ,  KALYUZHNYY N A (Peter the Great St. Petersburg Polytechnic Univ., St. Petersburg, RUS) ,  MAXIMOV M V (Ioffe Physical-Techical Inst., St Petersburg, RUS) ,  MAXIMOV M V (St Petersburg Academic Univ., St Petersburg, RUS) ,  MAXIMOV M V (Peter the Great St. Petersburg Polytechnic Univ., St. Petersburg, RUS) ,  NADTOCHIY A M (Ioffe Physical-Techical Inst., St Petersburg, RUS) ,  NADTOCHIY A M (St Petersburg Academic Univ., St Petersburg, RUS) ,  NADTOCHIY A M (Solar Dots Ltd, St Petersburg, RUS) ,  ZHUKOV A E (St Petersburg Academic Univ., St Petersburg, RUS) ,  ZHUKOV A E (Solar Dots Ltd, St Petersburg, RUS) ,  ZHUKOV A E (Peter the Great St. Petersburg Polytechnic Univ., St. Petersburg, RUS)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 32  号： 1  ページ： 015006,1-4  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  *リン化物 ,  *ヒ化ガリウム ,  *ゲルマニウム ,  *太陽電池 ,  *量子ドット ,  *光電流 ,  *半導体接合 ,  スペーサ ,  電圧 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： *リン化ガリウムインジウム ,  開路電圧 ,  *多重接合

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (11件)： 多重接合 ,  GaInP ,  GaAs ,  Ge ,  太陽電池 ,  InGaAs ,  量子ドット ,  増強 ,  光電流 ,  サブ ,  セル