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J-GLOBAL ID：201702250933412191   整理番号：17A0132695

プラズマ支援原子層堆積ステップにプラズマエッチングのスーパーサイクルを加えたTa₂O₅の選択成長

Selective deposition of Ta₂O₅ by adding plasma etching super-cycles in plasma enhanced atomic layer deposition steps

著者 (4件)： Vallat Remi (Univ. Grenoble Alpes, LTM-CNRS, F-38000 Grenoble, France and CEA, LETI, Minatec Campus, F-38054 Grenoble, France) ,  Gassilloud Remy (CEA, LETI, Minatec Campus, F-38054 Grenoble, France) ,  Eychenne Brice (Univ. Grenoble Alpes, LTM-CNRS, F-38000 Grenoble, France) ,  Vallee Christophe (Univ. Grenoble Alpes, LTM-CNRS, F-38000 Grenoble, France)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 35  号： 1  ページ： 01B104-01B104-7  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,原子層堆積法による薄い酸化膜の選択成長の新たな方法について議論する。提案するプロセスでは,通常のプラズマ支援原子層堆積(PEALD)プロセスにおいて,プラズマエッチングステップを追加するスーパーサイクルモードを利用する。この方法で,自己組織化単分子膜による特定表面の不活性化なしに,金属下地上の薄い酸化膜の選択成長が可能となる。PEALDの8サイクル毎に少量のNF₃エッチングガスを酸素プラズマガスに加えることで,TiN下地上の数ナノメータのTa₂O₅は維持したまま,Siおよび/もしくはSiO₂表面上のTa₂O₅層は完全に除去できる。NF₃添加は,SiもしくはSiO₂下地上のTa₂O₅成長の潜伏時間を長くすることにも役立つ。この方法で,通常のPEALDモードで得られるものと同等の特性(密度,漏れ電流など)をもつTa₂O₅をTiN下地上に選択的に成膜できる。ここでは,将来の選択成長はPEALDと原子層エッチングの双方を用いたプロセスになるという予測を示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *プラズマCVD ,  *プラズマエッチング ,  *酸化タンタル ,  *選択成長 ,  *添加物効果 ,  窒素化合物 ,  フッ化物 ,  プラズマ
準シソーラス用語： *原子層堆積 ,  酸素プラズマ ,  *原子層エッチング

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： プラズマ ,  支援 ,  原子層堆積 ,  プラズマエッチング ,  サイクル ,  Ta2O5 ,  選択成長