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J-GLOBAL ID：201702251028529402   整理番号：17A1545023

離散技術SCRのTIM,EMMIと3D TCAD解析【Powered by NICT】

TIM, EMMI and 3D TCAD analysis of discrete-technology SCRs

著者 (4件)： Fleury C. (Institute of Solid State Electronics, TU Wien, Floragasse 7, 1040 Vienna, Austria) ,  Notermans G. (Nexperia Germany GmbH, Stresemannallee 101, 22529 Hamburg, Germany) ,  Ritter H.-M. (Nexperia Germany GmbH, Stresemannallee 101, 22529 Hamburg, Germany) ,  Pogany D. (Institute of Solid State Electronics, TU Wien, Floragasse 7, 1040 Vienna, Austria)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 76-77  ページ： 698-702  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 過渡干渉マッピング(TIM)と裏面光放出顕微鏡(EMMI)はトリガータップを持つ離散技術静電放電(ESD)保護シリコン制御整流器(SCR)試験構造におけるトリガ動作とオン状態広がりを研究するために適用した。なだれブレークダウンとSCR作用を発生するトリガータップまたはデバイス角は領域として明確に同定した。保持電流に関連した領域は,EMMIによって同定することができる。SCRモードではnpnとpnpエミッタからの注入領域はTIMにより局在化した。TIMから得られた1~4μm/nsのオン状態広がり(OSS)速度は3D TCADシミュレーションの結果と一致した。OSSの駆動力は,TCAD結果に基づいて議論した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 干渉 ,  シミュレーション ,  発光 ,  *三次元 ,  駆動力 ,  顕微鏡 ,  電流 ,  サイリスタ
準シソーラス用語： 局在化 ,  オン状態 ,  静電気放電 ,  *TCAD , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (9件)： シリコン制御整流器 ,  SCR ,  サイリスタ ,  オン状態広がり ,  EMMI ,  TIM ,  3D TCAD ,  保持電流 ,  トリガータップ

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： SCR ,  EMMI ,  3D ,  TCAD ,  解析