文献

J-GLOBAL ID：201702251364746274   整理番号：17A0548685

同時スパッタ法と(t-C₄H₉)₂S₂による硫化で作製したMo_1-xW_xS₂の評価

著者 (10件)： 日比野祐介 (明治大) ,  石原聖也 (明治大) ,  石原聖也 (日本学術振興会) ,  澤本直美 (明治大) ,  大橋匠 (東京工大) ,  松浦賢太朗 (東京工大) ,  町田英明 (気相成長) ,  須藤弘 (気相成長) ,  若林整 (東京工大) ,  小椋厚志 (明治大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.15a-F203-7  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  二酸化ケイ素 ,  *薄膜成長 ,  *硫化モリブデン ,  有機硫黄化合物 ,  Ramanスペクトル ,  スペクトルシフト ,  *スパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  タングステン化合物 ,  多硫化物 ,  Ramanシフト ,  二硫化タングステン ,  硫化モリブデン(IV)
準シソーラス用語： 二硫化モリブデン ,  共スパッタリング

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

物質索引 (1件)： ジ-tert-ブチルスルフィド

タイトルに関連する用語 (4件)： 同時スパッタ法 ,  硫化 ,  作製 ,  評価