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J-GLOBAL ID：201702251883648675   整理番号：17A0968235

超音波スプレー熱分解堆積法をによるAl₂O₃/TiO₂積層誘電体を有するAlGaN/GaN/Si MOS-HFETの比較研究

Comparative studies on AlGaN/GaN/Si MOS-HFETs with Al₂O₃/TiO₂ stacked dielectrics by using an ultrasonic spray pyrolysis deposition technique

著者 (5件)： LEE Ching-Sung (Feng Chia Univ., Taichung, TWN) ,  HSU Wei-Chou (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  CHIANG Bo-Jung (Feng Chia Univ., Taichung, TWN) ,  LIU Han-Yin (Feng Chia Univ., Taichung, TWN) ,  LEE Hsin-Yuan (National Chung Cheng Univ., Chia-Yi County, TWN)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 32  号： 5  ページ： 055012,1-7  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 熱分解 ,  *アルミナ ,  *酸化チタン ,  金属薄膜 ,  酸化物 ,  薄膜 ,  *積層構造 ,  *誘電体 ,  *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  *ケイ素 ,  *MOSFET ,  接合形FET ,  電流密度 ,  絶縁耐力 ,  原子間力顕微鏡 ,  容量電圧特性 ,  電流電圧特性 ,  ヘテロ接合 ,  電圧
準シソーラス用語： *AlGaN/GaN ,  Schottkyゲート電界効果トランジスタ ,  サブ閾値スイング ,  二酸化チタン ,  酸化物薄膜 ,  超音波スプレー熱分解法 ,  *MOSHFET ,  ゲート電圧

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (11件)： 超音波スプレー熱分解 ,  堆積 ,  Al2O3 ,  TiO2 ,  誘電体 ,  AlGaN ,  GaN ,  Si ,  MOS ,  HFET ,  研究