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J-GLOBAL ID：201702252059956614   整理番号：17A1560091

フラーレン-C60バルク有機半導体における電子移動度と拡散係数に及ぼす温度効果のモンテカルロシミュレーション【Powered by NICT】

Monte Carlo simulation of temperature effect on the electron mobility and diffusion coefficient in fullerene-C60 bulk organic semiconductor

著者 (4件)： Berkai Zakarya (Laboratory of Semiconductor Devices physics, Tahri Mohammed University - Bechar, P.O. Box 417, Bechar 08000, Algeria) ,  Daoudi Mebarka (Laboratory of Semiconductor Devices physics, Tahri Mohammed University - Bechar, P.O. Box 417, Bechar 08000, Algeria) ,  Mendil Nesrin (Laboratory of Semiconductor Devices physics, Tahri Mohammed University - Bechar, P.O. Box 417, Bechar 08000, Algeria) ,  Belghachi Abderrahmane (Laboratory of Semiconductor Devices physics, Tahri Mohammed University - Bechar, P.O. Box 417, Bechar 08000, Algeria)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 182  ページ： 57-60  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機半導体における電荷キャリア輸送特性を理解するために,両微視的および巨視的見解を必要とし,モデルはこれらの視点を組み合わせたものである。一般的に,移動度は,電荷キャリア輸送特性と電子応用のための材料必要性を決定する重要な要因の一つである。これに関連して,この因子の計算は有機半導体の分子中の原子位置の現実的な表現を生成するために重要である。本研究では,電子移動度に及ぼす温度の影響と異なる状況で教育することを可能にするモンテカルロシミュレーションを用いたフラーレン(C60)有機半導体の拡散係数を調べた。単純立方C60構造における電子移動度は1.5×10~-3 7×10~ 3cm~/vsの範囲にあり,面心立方晶C60構造は1.9×10~-2 2.5×10~ 2cm~/V sの間にある。これらの結果から,文献(Volpi.,2016;Fishchuk.,2010[2425])で抽出した結果と優れた一致を比較して検証した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *拡散係数 ,  *温度依存性 ,  *移動度 ,  *有機半導体 ,  *フラーレンC60
準シソーラス用語： 輸送特性 ,  電荷キャリア ,  *モンテカルロシミュレーション ,  *電子移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： 有機半導体 ,  電子移動度 ,  拡散係数 ,  フラーレン-C60 ,  モンテカルロシミュレーション ,  Miller-Abrahams速度 ,  エネルギー論的無秩序性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： フラーレン ,  C60 ,  バルク ,  有機半導体 ,  電子移動度 ,  拡散係数 ,  温度効果 ,  モンテカルロシミュレーション