文献

J-GLOBAL ID：201702252208431068   整理番号：17A1637423

AlGaN/GaNH EMTにおける接合温度の測定【Powered by NICT】

Measurement of junction temperature in AlGaN/GaN HEMTs

著者 (3件)： Li Gao (China Electronics Standardization Institute, AnDingMen East Street No.1, Beijing, 100176, China) ,  Sheng Guo Chun (Beijing University of Technology, No.100 Pingleyuan, Beijing, 100124, China) ,  Wei Li Shi (Beijing University of Technology, No.100 Pingleyuan, Beijing, 100124, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IPFA  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,赤外熱撮像装置の最大空間分解能は3μmであり,AlGaN/GaNH EMTのゲート長が0.2μmと1μmの間であった。,赤外熱イメージング装置測定結果は実際の温度よりも低い平均温度のみである。Sentaurus TCADシミュレーションを用いた赤外熱映像を組み合わせることにより,AlGaN/GaNH EMTの接合温度を正確に測定することができる。最初に,異なる負荷電力設定下で赤外熱撮像装置とAlGaN/GaNH EMT接合温度上昇のシェル温度,定常状態と過渡シミュレーションのためのAlGaN/GaNH EMTのSentaurus TCADを測定した。,パラメータモデルを最適化するために境界条件として赤外線熱画像装置の使用は,AlGaN/GaNH EMT活性領域温度の種々の電力設定下で測定した。,AlGaN/GaNH EMTの接合温度をモデル,0.05μm, 2μmの分解能を持つから抽出した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 空間分解能 ,  熱画像 ,  負電荷 ,  電力 ,  最適化 ,  *撮像装置 ,  活性部位 ,  境界条件 ,  平均気温 ,  赤外線 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： 過渡シミュレーション ,  定常状態 ,  TCAD ,  *接合温度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： AlGaN ,  EMT ,  接合温度