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J-GLOBAL ID：201702252275382334   整理番号：17A0362428

システムレベルESDストレス中の過渡波形の非線形容量の影響【Powered by NICT】

Impact of non-linear capacitances on transient waveforms during system level ESD stress

著者 (4件)： Escudie F. (LAAS-CNRS, Universite de Toulouse, CNRS, UPS, 7 Avenue du Colonel Roche, 31400 Toulouse, France) ,  Caignet F. (LAAS-CNRS, Universite de Toulouse, CNRS, UPS, 7 Avenue du Colonel Roche, 31400 Toulouse, France) ,  Nolhier N. (LAAS-CNRS, Universite de Toulouse, CNRS, UPS, 7 Avenue du Colonel Roche, 31400 Toulouse, France) ,  Bafleur M. (LAAS-CNRS, Universite de Toulouse, CNRS, UPS, 7 Avenue du Colonel Roche, 31400 Toulouse, France)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 64  ページ： 88-92  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： システムレベルESDストレス中に誘起された故障の予測は主にチップレベルでの過渡波形に関連している。ハードとソフトの障害を調べるためにシステムの正確なモデリングが必要である。オンチップ保護モデルは準静的測定を用いて得ることができる。そのようなモデルは良好なESDシミュレーションを達成できるかどうかも外部要素の影響はより重要である。Paper社はオンチップ保護に関連する外部要素の非線形挙動を検討した。キャラクタリゼーション技術とモデルは,二種の異なる値,オンチップ保護に平行に置かれたを,二種類の容量に基づいて,提示した。チップの入力で波形を変化させるストレス中のX7R容量の重要な変動を示した。測定において異なる挙動をシミュレーションにより観察し,再現した。モデルとシミュレーションを構築するための方法論を提示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *シミュレーション ,  モデリング ,  キャラクタリゼーション ,  非線形挙動
準シソーラス用語： オンチップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： 影響 ,  ESD ,  EFT ,  システム ,  シミュレーション ,  キャパシタ ,  非線形

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： ESD ,  ストレス ,  波形 ,  非線形