文献
J-GLOBAL ID:201702252285833042   整理番号:17A0390097

Sn58Biはんだの長さに依存するエレクトロマイグレーション挙動とエレクトロマイグレーション臨界長

Length-Dependent Electromigration Behavior of Sn58Bi Solder and Critical Length of Electromigration
著者 (3件):
資料名:
巻: 46  号:ページ: 1287-1292  発行年: 2017年02月 
JST資料番号: D0277B  ISSN: 0361-5235  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
Sn37Pb(wt%)はんだ合金の代替えであるSn58Bi(SB)共晶はんだは,エレクトロマイグレーション(EM)による陰極側へのBi偏析のために,せん断衝撃に対して脆弱となる可能性がある。本稿では,試験装置を開発して,373で27kAcm2の電流密度で,長さ50,100,150μmのSBはんだストリップのEM試験を同時に行った。長さに依存するSBはんだのEM挙動を示して,そのメカニズムを論じた。さらに,EM臨界長を調べた。ストリップ長の増加とともにBi原子の偏析が促進され,より厚いBiリッチ層またはSn-Bi混合ヒロックの形成を認めた。これによって,はんだ長さに依存する逆流の存在を明らかにした。逆流は,SBはんだ上に形成された酸化物層によって引き起こされる可能性が最も高かった。Biリッチ層の厚さの測定からBiドリフト速度を求めた。SBはんだの臨界長と臨界積を,それぞれ,16μmと43A/cmと推定した。
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
接続部品 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る