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J-GLOBAL ID：201702252301673479   整理番号：17A1732272

SAW素子のためのサファイア基板上のc軸傾斜配向ScAlN膜の成長【Powered by NICT】

Film growth of c-axis tilted ScAlN on the sapphire substrate for SAW devices

著者 (4件)： Tokuda Shohei (Graduate School of Life and Medical Sciences Doshisha University Kyotanabe, Kyoto, Japan) ,  Takayanagi Shinji (Graduate school of Engineering Nagoya Institute of Technology Nagoya, Aichi, Japan) ,  Matsukawa Mami (Faculty of Science and Engineering Doshisha University Kyotanabe, Kyoto, Japan) ,  Yanagitani Takahiko (Faculty of Advanced Science and Engineering Waseda University Shinjyuku, Tokyo, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IUS  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ScAlN膜は高い電気機械結合係数K~2SAWデバイスにとって魅力的である。の以前の研究では,c軸傾きSc_0 4Al_0 6N膜/ダイヤモンド基板におけるK~2を分析した。c軸傾き膜のK~2は増加し,c軸垂直配向膜のそれと比較した。しかし,ダイヤモンド基板は非常に高価であるため,実験を行うことは困難である。本研究では,c軸傾斜ScAlN film/Rサファイア基板中のSAWのK~2を理論的に解析した。RayleighモードSAWにおけるK~2はΨ=54°でのΨ=90°と3.7%で3.9%であることが分かった。次に,c軸傾斜ScAlN膜をサファイア基板上に成長させたc軸33°傾斜ScAlN膜はR面サファイア上に得られた。IDT/c軸 33°傾斜ScAlN/Rサファイア構造を作製した。構造の挿入損は34.4dBであった。高K~2はScAlN膜の結晶方位を改善すると期待される。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 挿入損 ,  *弾性表面波素子 ,  *サファイア ,  結晶方位 ,  ダイヤモンド
準シソーラス用語： 配向膜 ,  電気機械結合係数 ,  *サファイア基板 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 弾性表面波デバイス  (NC03120T)

タイトルに関連する用語 (5件)： SAW素子 ,  サファイア基板 ,  C軸 ,  配向 ,  成長