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J-GLOBAL ID：201702253031865184   整理番号：17A1521737

GaNベースLEDの周波数特性に及ぼすキャリア分布の影響を調べた。【JST・京大機械翻訳】

Influence of Carrier Distribution on The Frequency Behavior for GaN-based LEDs

著者 (7件)： Wu Chunhui (中国科学院半導体研究所 半導体照明研発中心, 北京 100083;中国科学院半導体研究所 集成光電子学国家重点実験室, 北京 100083) ,  Zhu Shichao (中国科学院半導体研究所 半導体照明研発中心,北京,100083) ,  Fu Binglei (中国科学院半導体研究所 半導体照明研発中心, 北京 100083;中電科電子装備集団有限公司, 北京 100070) ,  Liu Lei (中国科学院半導体研究所 半導体照明研発中心,北京,100083) ,  Zhao Lixia (中国科学院半導体研究所 半導体照明研発中心,北京,100083) ,  Wang Junxi (中国科学院半導体研究所 半導体照明研発中心,北京,100083) ,  Chen Hongda (中国科学院半導体研究所 集成光電子学国家重点実験室,北京,100083)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 38  号： 3  ページ： 347-352  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 高出力GaNベースLEDの電気的および光学的性質を,それぞれ,直流バイアスおよび交流バイアスの下で研究した。結果により、p型層に近い量子障壁(即ち、最後の量子障壁)中のIn成分を変化させることで、活性領域中のキャリア分布を制御できることが分かった。活性領域に蓄積された電子は負の静電容量効果を引き起こす。一方,ソース領域の量子障壁の高さを減少させることにより,LEDのキャリア輸送特性を改善し,キャリア再結合速度と通信変調帯域幅を20%増加させることができた。この研究はGaNベースLEDにおけるキャリア分布の周波数特性への影響を理解するのに役立ち、可視光通信に適した高出力高速LEDの設計に基礎を築くことができる。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 通信 ,  バイアス ,  静電容量 ,  交流 ,  *窒化ガリウム ,  光学的性質 ,  *周波数特性 ,  キャリア再結合 ,  直流 ,  活性部位
準シソーラス用語： 可視光通信 ,  変調帯域幅 ,  キャリア輸送 ,  高出力 ,  *キャリア分布 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： GaN-based ,  light emitting diodes ,  visible light communication ,  modulation bandwidth ,  carrier distribution

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  光通信方式・機器  (ND10000B)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  LED ,  周波数特性 ,  キャリア分布