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J-GLOBAL ID：201702253090804683   整理番号：17A1220923

アモルファスシリコンカンチレバーの曲げ角度に対するガリウムイオンビーム加速電圧の影響

Influence of gallium ion beam acceleration voltage on the bend angle of amorphous silicon cantilevers

著者 (5件)： KOZEKI Takahiro (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  PHAN Hoang-Phuong (Griffith Univ., Qld, AUS) ,  DAO Dzung Viet (Griffith Univ., Qld, AUS) ,  INOUE Shozo (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  NAMAZU Takahiro (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55  号： 6S1  ページ： 06GL02.1-06GL02.5  発行年： 2016年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,集束イオンビーム(FIB)加工を用いたSi薄膜のプラスチック再成形技術について述べる。FIBは,Gaイオンを局所的にパターン化して膜に注入するために使用される。Gaイオンドーピングとアルカリウェットエッチングを組み合わせることにより,FIBビームの照射条件を制御することにより,任意の角度で上方に曲げることができるGaイオンドープアモルファスSi膜をナノメートルオーダーで作製することができた。曲げ機構は,膜表面からのGaイオン注入深さを考慮して議論された。この技術を使用することによって,いくつかの異なる角度を有するマイクロメーターサイズのシュート構造が製造された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *アモルファスシリコン ,  *片持梁 ,  *角度 ,  *イオンビーム加工 ,  金属イオン ,  *プラスチック成形
準シソーラス用語： カンチレバー ,  *曲げ角度 ,  ガリウムイオン

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  非晶質半導体の構造  (BK04030O)

引用文献 (30件)：

• H.-P. Phan, D. V. Dao, K. Nakamura, S. Dimitrijev, and N.-T. Nguyen, J. Microelectromech. Syst. 24, 1663 (2015).
• H.-P. Phan, T. Kozeki, T. Dinh, A. Qamar, Y. Zhu, T. Namazu, N.-T. Nguyen, and D. V. Dao, RSC Adv. 5, 82121 (2015).
• A. A. G. Requicha, Proc. IEEE 91, 1922 (2003).
• J. Verd, G. Abadal, J. Teva, M. V. Gaudo, A. Uranga, X. Borrise, F. Campabadal, J. Esteve, E. F. Costa, F. Perez-Murano, Z. J. Davis, E. Forsen, A. Boisen, and N. Bamiol, J. Microelectromech. Syst. 14, 508 (2005).
• D. Chiba, S. Fukami, K. Shimamura, N. Ishiwata, K. Kobayashi, and T. Ono, Nat. Mater. 10, 853 (2011).

タイトルに関連する用語 (4件)： 曲げ角度 ,  ガリウム ,  イオンビーム ,  加速電圧