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J-GLOBAL ID：201702253305929202   整理番号：17A1995858

有機金属気相成長法によって成長したN極性窒化物半導体薄膜および素子の組成・構造分析

Compositional and structural analyses of both N-polar nitride films grown by MOVPE and their devices

著者 (4件)： 窪谷茂幸 (東北大 金属材料研) ,  YOO Jinyeop (東北大 金属材料研) ,  谷川智之 (東北大 金属材料研) ,  松岡隆志 (東北大 金属材料研)
資料名： 東北大学金属材料研究所新素材共同研究開発センター共同利用研究報告書(CD-ROM)
巻： 2016  ページ： 119-120  発行年： 2017年07月06日 
JST資料番号： L3700B  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： InAlN窒化物半導体は,AlNが紫外側の終端物質であるため,InNモル分率の制御により広い波長範囲をカバーできる。そのため,バンドエンジニアリングの幅を大きく広げることができる。しかし,この研究報告例は極めて少ない。そこで本研究では,このInAlN混晶半導体に着目し,MOVPE法で作製したN極性InAlN薄膜について組成分析を行い,成長組成域を調べた。さらに,その酸化状態について調べた。またAlNについても結晶成長条件と不純物混入との関係を調べた。高分解能XRD分析やXPSを用いて,得られた試料の組成と構造解析を行った。その結果,1)組成分析は,XRDで見積もったInNモル分率が,XPSで見積もったものとほぼ一致していることを示した。2)大気暴露により試料の酸化が表面から深部へと進行していることが分かった。3)AlN薄膜中にもOが混入しており,その混入量は,成長圧力に依存せず,成長温度に支配されることが分かった。

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *窒化物 ,  *インジウム化合物 ,  *アルミニウム化合物 ,  バンドギャップ ,  MOCVD ,  パルスレーザ蒸着 ,  *結晶成長 ,  X線回折分析 ,  X線光電子分光法 ,  化学組成 ,  モル分率 ,  *酸化 ,  酸素 ,  含有量 ,  温度 ,  *薄膜
準シソーラス用語： 成長温度 ,  窒化物半導体 ,  有機金属気相成長法

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

引用文献 (4件)：

• S. Keller, N. A. Fichtenbaum, M. Furukawa, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 90, 191908 (2007).
• Y. Houchin, A. Hashimoto, and A. Yamamoto, phys. stat. sol. (c) 5, 1571 (2008).
• D. F. Brown, S. Keller, T. E. Mates, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 107, 033509 (2010).
• J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka, Jpn. J. Appl. Phys. 55, 05FA04 (2016).

タイトルに関連する用語 (7件)： 有機金属気相成長法 ,  成長 ,  極性 ,  窒化物半導体 ,  薄膜 ,  組成 ,  構造分析