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J-GLOBAL ID：201702254389833077   整理番号：17A1727243

デバイスモデリングにおける物理的問題:長さスケール,無秩序および相干渉【Powered by NICT】

Physical issues in device modeling: Length-scale, disorder, and phase interference

著者 (1件)： Sano Nobuyuki (Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SISPAD  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノスケールデバイスにおけるランダムにドープした不純物に関連したデバイスモデリングの物理的問題を考察した。ドリフト-拡散シミュレーションにおける離散不純物と関連した長さスケールを調査し,Poisson方程式と輸送方程式の間の長さスケールの自己無撞着性の重要性を指摘した。離散不純物モデルの背後にある物理学を検討した。不純物の種々の空間的配置下でのナノワイヤの不純物制限抵抗もLippmann-Schwinger理論のフレームワークの下で研究した。不純物制限抵抗の変動に導く二つの異なる独立した機構であることを示すコヒーレントおよび非コヒーレントランダム化過程。ナノワイヤ構造の下での「自己平均化」の物理的起源を明らかにした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： モデル ,  ドーピング ,  Poisson方程式 ,  不純物 ,  *干渉 ,  ドリフト ,  ナノワイヤ ,  コヒーレンス ,  シミュレーション
準シソーラス用語： 輸送方程式 ,  *長さスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  電子輸送の一般理論  (BM03020C)

タイトルに関連する用語 (4件)： モデリング ,  物理 ,  長さスケール ,  干渉