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J-GLOBAL ID：201702255073366473   整理番号：17A1221147

GaP(001)上のGa液滴を用いたGaAsNSe膜の有機金属分子線エピタキシー

Metal-organic molecular beam epitaxy of GaAsNSe films using Ga droplets on GaP(001)

著者 (7件)： SHIMOMURA Yuki (Muroran Inst. of Technol., Hokkaido, JPN) ,  IGARASHI Yosuke (Muroran Inst. of Technol., Hokkaido, JPN) ,  KIMURA Shinji (Muroran Inst. of Technol., Hokkaido, JPN) ,  SUZUKI Yuhei (Muroran Inst. of Technol., Hokkaido, JPN) ,  TADA Yoshihiro (Muroran Inst. of Technol., Hokkaido, JPN) ,  FUKUDA Hisashi (Muroran Inst. of Technol., Hokkaido, JPN) ,  UESUGI Katsuhiro (Muroran Inst. of Technol., Hokkaido, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55  号： 8S1  ページ： 08NB19.1-08NB19.4  発行年： 2016年08月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,GaAsNSe膜を,GaP(001)基板上に作製したGa液滴を用いて,有機金属分子線エピタキシーによって成長させた。Sb終端GaP表面に,基板温度520°Cで,5.3×108cm^-2の低密度でGa液滴を形成した。Ga液滴は高さが63nm以上,直径が164nm以上であった。GaP上のGaAsNSeの初期成長において,Ga液滴からの原子拡散,および平坦なテラスの表面上の広がりよってステップフロー成長が促進された。GaAsNSeとGaPの格子不整合は3.5%と大きいが,Gaの表面拡散により三次元の島状成長とピット形成が著しく減少した。本稿では,Ga液滴のGaAsNSe/GaPの異種成長プロセスへの寄与について報告した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *リン化ガリウム ,  *ガリウム ,  *液滴 ,  *ヒ化ガリウム ,  窒化物 ,  セレン化合物 ,  *MOMBE ,  拡散 ,  表面テラス ,  薄膜成長 ,  原子拡散
準シソーラス用語： 有機金属分子線エピタキシー ,  島状成長

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  膜流,液滴,気泡,キャビテーション  (BC02070U)

引用文献 (33件)：

• D. A. B. Miller, Proc. IEEE 97, 1166 (2009).
• D. L. Mathine, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 3, 952 (1997).
• D. A. B. Miller, Proc. IEEE 88, 728 (2000).
• K. Tanabe, K. Watanabe, and Y. Arakawa, Sci. Rep. 2, 349 (2012).
• S. Licht, J. Phys. Chem. B 105, 6281 (2001).

タイトルに関連する用語 (4件)： GAP ,  Ga ,  液滴 ,  有機金属分子線エピタキシー