Lim Donghwan について
Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, Republic of Korea について
Lee Jae Ho について
Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, Republic of Korea について
Choi Changhwan について
Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, Republic of Korea について
Microelectronic Engineering について
電気的性質 について
ゲート絶縁膜 について
絶縁体 について
酸化アルミニウム について
ケイ素 について
バンドギャップ について
界面層 について
閾値電圧 について
サブ閾値スイング について
トンネル電界効果トランジスタ について
FDSOI について
ALCVD について
TFET について
サブ閾値スイング について
ハフニウムアルミニウム酸化物 について
原子層堆積 について
固体デバイス材料 について
トランジスタ について
原子層蒸着 について
ゲート誘電体 について
調節 について
組成 について
ゲート について
ラスト について
FDSOI について
トンネル電界効果トランジスタ について
TFET について