文献

J-GLOBAL ID：201702255696485273   整理番号：17A1125371

原子層蒸着したHfAlO_xゲート誘電体における調節Al_2O_3組成をもつゲートラストFDSOIトンネル電界効果トランジスタ(TFET)の改善された性能【Powered by NICT】

Improved performance of gate-last FDSOI tunnel field-effect-transistors (TFETs) with modulating Al₂O₃ composition in atomic layer deposited HfAlO_x gate dielectrics

著者 (3件)： Lim Donghwan (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, Republic of Korea) ,  Lee Jae Ho (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, Republic of Korea) ,  Choi Changhwan (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, Republic of Korea)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 178  ページ： 266-270  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層堆積したHfAlO_xゲート誘電体中のAl_2O_3画分(25%, 50%)を調節することにより絶縁体(FD SOI)トンネル電界効果トランジスタ(TFET)上のn型とp型の両完全に空乏化したシリコンの電気的特性を研究した。HfO_2単独と比較して,電気的ストレスに対して低いサブ閾値スイング(S.S),より高いI_on/I_offとより強いしきい値電圧(V_th)免疫はナノラミネーション原子層堆積HfAlO_x,増加したバンドギャップと界面層捕捉効果によるものを採用することによりn型およびp型TFETを得た。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電気的性質 ,  *ゲート絶縁膜 ,  絶縁体 ,  酸化アルミニウム ,  ケイ素 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 界面層 ,  閾値電圧 ,  サブ閾値スイング ,  *トンネル電界効果トランジスタ ,  *FDSOI ,  *ALCVD , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： TFET ,  サブ閾値スイング ,  ハフニウムアルミニウム酸化物 ,  原子層堆積

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 原子層蒸着 ,  ゲート誘電体 ,  調節 ,  組成 ,  ゲート ,  ラスト ,  FDSOI ,  トンネル電界効果トランジスタ ,  TFET