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J-GLOBAL ID：201702256404118344   整理番号：17A0539841

アルミナ表面不動態化による多層グラフェン透明電極を有するInGaN/GaNナノロッドLEDの顕著な性能向上

Significant performance enhancement of InGaN/GaN nanorod LEDs with multi-layer graphene transparent electrodes by alumina surface passivation

著者 (14件)： LATZEL M (Max Planck Inst. for the Sci. of Light, Erlangen, DEU) ,  LATZEL M (Friedrich-Alexander-Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU) ,  BUETTNER P (Max Planck Inst. for the Sci. of Light, Erlangen, DEU) ,  SARAU G (Max Planck Inst. for the Sci. of Light, Erlangen, DEU) ,  SARAU G (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Matierialien und Energie GmbH, Berlin, DEU) ,  HOEFLICH K (Max Planck Inst. for the Sci. of Light, Erlangen, DEU) ,  HOEFLICH K (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Matierialien und Energie GmbH, Berlin, DEU) ,  HEILMANN M (Max Planck Inst. for the Sci. of Light, Erlangen, DEU) ,  CHEN W (Univ. New South Wales, Sydney, AUS) ,  WEN X (Univ. New South Wales, Sydney, AUS) ,  CONIBEER G (Univ. New South Wales, Sydney, AUS) ,  CHRISTIANSEN S H (Max Planck Inst. for the Sci. of Light, Erlangen, DEU) ,  CHRISTIANSEN S H (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Matierialien und Energie GmbH, Berlin, DEU) ,  CHRISTIANSEN S H (Freie Univ. Berlin, Berlin, DEU)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 5  ページ： 055201,1-7  発行年： 2017年02月03日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 青色発光ダイオード(LED)に使用されているInGaNやGaNは,通常サファイヤやシリコンなどの異種基板上に堆積されている。この場合には,高い界面応力による量子シュタルク効果や貫通転位の発生により,発光効率が減少していた。そこで,異種基板上に形成されたInGaNやGaNを反応性イオンエッチング(RIE)技術を用いて,量子井戸となるInGaNナノロッド(NR)などを形成し,応力を緩和することによって,発光効率を改善する試みがなされている。しかし,InGaN/GaNのNRをRIE法によって形成するさい,NR表面にエッチングダメージが発生し,表面酸化により界面準位が発生し,十分な発光効率が得られなかった。本研究においては,RIEダメージ層をKOH溶液で除去し,表面保護膜としてアルミナを堆積した。その結果,多層グラフェン透明電極を有するNR-LEDの発光性能がKOH処理後に約50%向上し,アルミナ膜の不動態処理後に80%増加した。

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  窒化ガリウム ,  不整合転位 ,  *RIE【エッチング】 ,  配列 ,  被覆
準シソーラス用語： *LED ,  *InGaN ,  GaN ,  ミスフィット転位 ,  *DRIE【エッチング】 ,  ナノロッドアレイ ,  アルミナ被覆

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： アルミナ ,  表面不動態化 ,  多層グラフェン ,  透明電極 ,  InGaN ,  GaN ,  ナノロッド ,  LED ,  性能向上