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J-GLOBAL ID：201702256436372321   整理番号：17A1705405

酸素プラズマ処理後の酸化したSiウエハへのNCFの接着【Powered by NICT】

Adhesion of NCF to oxidized Si wafers after oxygen plasma treatment

著者 (5件)： Jang Min-Seok (Division of Materials Science & Engineering, Hanyang University, Seoul 133-791, Republic of Korea) ,  Ma Sung Woo (Division of Nanoscale Semiconductor Engineering, Hanyang University, Seoul 133-791, Republic of Korea) ,  Song Jongsoo (Department of Chemistry, Hanyang University, Seoul 133-791, Republic of Korea) ,  Sung Myungmo (Department of Chemistry, Hanyang University, Seoul 133-791, Republic of Korea) ,  Kim Young-Ho (Division of Materials Science & Engineering, Hanyang University, Seoul 133-791, Republic of Korea)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 78  ページ： 220-226  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非導電性膜(NCF)および酸化Si間の接着に及ぼす酸素プラズマ処理の影響を調べた。酸化されたSiウエハを酸素プラズマで処理した5分間,脱イオン水(DIW)で洗浄した。水接触角を液滴法を用いて測定し,表面粗さを原子間力顕微鏡により測定した。酸化SiウエハへのNCFの接着は150°C,5sの結合後の単純重ねせん断試験によって評価した。酸素プラズマ処理は水接触角を減少させた。酸化Siウエハの粗さは減少した酸素プラズマ処理は単独で適用したが,増加した場合,酸素プラズマ処理とDIW洗浄の両方を適用した。同様に,酸素プラズマ処理を単独で適用した場合にせん断強さは減少したが,酸素プラズマ処理とDIW洗浄の両方が適用されたとき,NCFの接着は増加した。酸化Siウエハの表面粗さの増加はNCFと酸化Siウエハ間の接着の増加に重要な役割を果たした。せん断強度は,170°Cで1時間または280°C15秒の後熱処理後に増加した。後熱処理前に観測された低せん断強度は不完全なNCF硬化に起因していた。二種類NCFの間の接着強度において観察された相違は酸化Si基板の表面被覆率の硬化度とその程度の差に起因した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *接着 ,  *ケイ素 ,  *酸化 ,  脱イオン水 ,  剪断強さ ,  表面被覆 ,  原子間力顕微鏡 ,  後熱処理 ,  液滴 ,  接着強さ
準シソーラス用語： 重ね剪断 ,  水接触角 ,  導電膜 ,  *シリコンウエハ ,  *酸素プラズマ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 酸素プラズマ処理 ,  NCF ,  接着 ,  酸化Siウエハ ,  DIW洗浄

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 酸素プラズマ ,  酸化 ,  Siウエハ