ゲート絶縁膜としてSiO<sub>2</sub>を用いたGaN及びSiCトランジスタの閾値電圧安定性に及ぼす界面状態と界面近傍トラップの影響

Fiorenza Patrick; Greco Giuseppe; Giannazzo Filippo; Iucolano Ferdinando; Roccaforte Fabrizio

文献

J-GLOBAL ID：201702256505351623 整理番号：17A0151795

ゲート絶縁膜としてSiO₂を用いたGaN及びSiCトランジスタの閾値電圧安定性に及ぼす界面状態と界面近傍トラップの影響

Effects of interface states and near interface traps on the threshold voltage stability of GaN and SiC transistors employing SiO₂ as gate dielectric

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巻： 35 号： 1 ページ： 01A101-01A101-6 発行年： 2017年01月
JST資料番号： E0974A ISSN： 2166-2746 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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本論文では,ゲート絶縁膜としてSiO₂を用いたGaNおよびSiCトランジスタの界面状態と界面近傍トラップの影響について報告し,素子の閾値電圧安定性におけるこれらの界面電荷トラップの役割を強調した。静電容量,コンダクタンス,および電流を周波数の関数として測定し,GaN及びSiC金属酸化物半導体系を特性評価した。これらの系では,酸化物堆積後の焼なまし処理は界面状態密度を減少させるものの,界面近傍トラップの存在は閾値電圧不安定性を伴う電流伝導の異常挙動を誘発する可能性がある。適切なバイアス範囲で求めたトランジスタの伝達特性から,10¹¹cm^-2台のトラップ密度を定量化できた。(翻訳著者抄録)

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