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J-GLOBAL ID：201702257036029897   整理番号：17A0046693

1.2kV 30AシリコンカーバイドMOSFETの特性評価とモデル化

Characterization and Modeling of a 1.2-kV 30-A Silicon-Carbide MOSFET

著者 (8件)： Mukunoki Yasushige (Advanced Technology Research and Development Center, Mitsubishi Electric Corporation, Amagasaki, Japan) ,  Nakamura Yuta (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan) ,  Horiguchi Takeshi (Advanced Technology Research and Development Center, Mitsubishi Electric Corporation, Amagasaki, Japan) ,  Kinouchi Shin-ichi (Automotive Electronics Development Center, Mitsubishi Electric Corporation, Himeji, Japan) ,  Nakayama Yasushi (Advanced Technology Research and Development Center, Mitsubishi Electric Corporation, Amagasaki, Japan) ,  Terashima Tomohide (Power Device Works, Mitsubishi Electric Corporation, Fukuoka, Japan) ,  Kuzumoto Masaki (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan) ,  Akagi Hirofumi (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 63  号： 11  ページ： 4339-4345  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,SiC-MOSFETの新しいコンパクトモデルについて述べる。このモデルは,リニア領域から飽和領域への出力特性の正確なシミュレーションを実現し,ゲート-ソース電圧と温度の両方をパラメータとして選択するのに役立ちます。体系的にモデルを構築するために,調整可能なパラメータとしてチャネル移動度を用いた物理ベースのモデル化手順に注意が払われる。このモデルはまた,内部ドレイン・ゲート・コンデンサの特性評価とモデル化を特徴としています。このモデルは,実験結果とシミュレーション結果の間のゲート駆動回路と主電源回路の両方の出力特性と動的挙動にかなりよく一致しています。この検証が成功したことは,このモデルがSiC-MOSFETを使用した電力変換システム全体を設計するための有望な回路ベースのシミュレーションツールを提供することを示しています。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *MOSFET ,  *モデリング ,  *キャラクタリゼーション ,  固体素子モデル ,  シミュレーションモデル ,  ゲート【半導体】 ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  キャリア移動度 ,  ゲート回路 ,  実験 ,  *動特性 ,  電力変換器 ,  *回路シミュレーション ,  容量電圧特性 ,  ターンオン ,  ターンオフ
準シソーラス用語： コンパクトモデル ,  チャネル移動度 ,  ゲート駆動回路

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコンカーバイド ,  MOSFET ,  特性評価 ,  モデル化