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J-GLOBAL ID：201702257148805596   整理番号：17A0777064

シリコンウェハ変形による加工変質層残留応力の評価 -有限要素法を用いた数値シミュレーションによる薄いウェハの変形メカニズム解明-

Evaluation of Subsurface Damage in Silicon Wafer Based on Deflection Analysis -Thin Wafer Deformation Mechanism Revealed by Use of FEM-

著者 (3件)： 高橋清樹 (茨城大学工学部) ,  ZHOU Libo (茨城大学工学部) ,  清水淳 (茨城大学工学部)
資料名： 精密工学会誌(Web)  (Journal of the Japan Society for Precision Engineering (Web))
巻： 83  号： 5  ページ： 426-432(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： U0462A  ISSN： 1882-675X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 反り変形が顕著になる薄片化Siウエハに関し,有限要素解析を用いる変形機構の解明を試み,加工変質層の残留応力評価法を提案した。今回は,反り変形の主因である加工変質層の残留応力のみに焦点を合せ,球面変形から円筒変形まで撓み量と残留応力を関連付けた。1)軸対称ドーム変形を維持できる撓み量はウエハ厚みの1~2倍である,薄片化ウエハでは目視が困難なこと,2)撓み量が増すとドーム変形は臨界点に達し,ウエハ径の収縮に伴う外周部圧縮歪の増加によって分枝座屈が生じることなどがわかった。

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  *加工変質層 ,  *残留応力 ,  有限要素法 ,  計算機シミュレーション ,  ドーム ,  軸対称性 ,  たわみ ,  座屈 ,  解析モデル ,  球面 ,  *曲げ変形 ,  弾性変形 ,  数値解析 ,  歪 ,  反り ,  評価基準
準シソーラス用語： *シリコンウエハ ,  圧縮歪 ,  直接数値シミュレーション ,  薄肉化 ,  評価法

著者キーワード (14件)： thin wafer ,  damage layer ,  residual stress ,  deflection ,  warping ,  buckle ,  FEM ,  thin wafer ,  damage layer ,  residual stress ,  deflection ,  warping ,  buckle ,  FEM

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (11件)：

• 1) V. Kripesh, S. E. Yoon, V. P. Ganesh, N. Khan, M. D. Rotaru, W. Fang and M. K. Iyer: Three Dimensional System-in-package Using Stacked Silicon Platform Technology, IEEE Trans. Adv. Pack., 28, 3 (2005) 377.
• 2) L. Zhou, B. S. Hosseini, T. Tsuruga, J. Shimizu, H. Eda, S. Kamiya, H. Iwase, Y. Tashiro : Fabrication and Evaluation for Extremely Thin Si wafer, Int. J. of Abrasive Technology,1,1 (2007) 94.
• 3) 例えば, UCS半導体基盤技術研究会編, 大見忠弘, 新田雄久監修 : シリコンの科学, リアライズ社 (1996) 989.
• 4) G. Janssen, M. Abdalla, F. Van Keulen, B. Pujada, and B. Van Venrooy : Celebrating the 100th anniversary of the Stoney equation for film stress: Developments from polycrystalline steel strips to single crystal silicon wafers, Thin Solid Films, 517, 6 (2009) 1858.
• 5) S. Timoshenko and S. Woinowsky Krieger : Theory of Plates and Shells, McGraw-Hill, 2nd, Ed, (1952) 364.

タイトルに関連する用語 (8件)： シリコンウェハ ,  加工変質層 ,  残留応力 ,  評価 ,  有限要素法 ,  数値シミュレーション ,  ウェハ ,  変形メカニズム