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J-GLOBAL ID：201702257238612310   整理番号：17A0658471

塩化アンモニウムを用いた塩素化プロセスによるGaN半導体からのガリウムの高温冶金回収

Pyrometallurgical Recovery of Gallium from GaN Semiconductor through Chlorination Process Utilizing Ammonium Chloride

著者 (4件)： Nishinaka Kazuki (Department of Molecular Design and Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University) ,  Terakado Osamu (Department of Material and Environmental Engineering, National Institute of Technology, Hakodate College) ,  Tani Haruki (Department of Molecular Design and Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University) ,  Hirasawa Masahiro (Department of Molecular Design and Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University)
資料名： Materials Transactions  (Materials Transactions)
巻： 58  号： 4  ページ： 688-691(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： G0668A  ISSN： 1345-9678  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有望な半導体材料である窒化ガリウム(GaN)からのガリウムの回収について,高温冶金塩素化プロセスを調べてきた。塩化アンモニウムの存在下でGaN粉末を熱処理することにより,揮発性塩化ガリウムとして成功裡にガリウムを回収されることを見出した。すべてのガリウムは500°Cで揮発性の化学種として回収することができた。この結果は,このプロセスにより半導体材料または廃棄物の複雑な混合物からガリウムを抽出できることを示している。反応温度や塩化アンモニウムの組成などの反応条件の影響を調べた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  塩化アンモニウム ,  塩素化 ,  *窒化ガリウム ,  *ガリウム ,  冶金反応 ,  *有用物質回収 ,  粉体 ,  揮発性 ,  混合物 ,  抽出 ,  反応温度 ,  固形廃棄物 ,  熱処理 ,  電気電子機器廃棄物
準シソーラス用語： 電子廃棄物

著者キーワード (4件)： gallium nitride ,  recovery ,  chlorination ,  ammonium chloride

分類 (1件)： 資源回収利用  (SC05060V)

引用文献 (8件)：

• 1) I. Akasaki and H. Amano: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 5393-5408. 10.1143/JJAP.36.5393
• 2) S. Dimitrijev, J. Han, H.A. Moghadam and A. Aminbeidokhti: MRS Bull. 40 (2015) 399-405. 10.1557/mrs.2015.89
• 3) R.R. Moskalyk: Miner. Eng. 16 (2003) 921-929. 10.1016/j.mineng.2003.08.003
• 4) Japan Oil, Gas, and Metals National Corporation, JOGMEC, Material flow (Gallium), (2015) (In Japanese). Available from http://mric.jogmec.go.jp/
• 5) Y. Mori, O. Terakado and M. Hirasawa: Mater. Trans. 56 (2015) 883-888. 10.2320/matertrans.M2015043

タイトルに関連する用語 (5件)： 塩化アンモニウム ,  塩素化 ,  プロセス ,  GaN ,  ガリウム