III族窒化物半導体の結晶成長と伝導度制御およびその短波長発光素子への応用

文献

J-GLOBAL ID：200902182827488235 整理番号：97A0950318

Crystal Growth and Conductivity Control of Group III Nitride Semiconductors and Their Application to Short Wavelength Light Emitters.

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巻： 36 号： 9A ページ： 5393-5408 発行年： 1997年09月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：文献レビュー発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

不整合の強い基板に窒化物をヘテロエピタキシャル成長する技術の...

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半導体薄膜 , 半導体レーザ , 発光素子

引用文献 (92件)：

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