Talneau A. について
CNRS - LPN, route de Nozay, F-91460 Marcoussis, France について
Pantzas K. について
CNRS - LPN, route de Nozay, F-91460 Marcoussis, France について
Durnez A. について
CNRS - LPN, route de Nozay, F-91460 Marcoussis, France について
Patriarche G. について
CNRS - LPN, route de Nozay, F-91460 Marcoussis, France について
Alamarguy D. について
GeePs Group of electrical engineering - Paris, UMR CNRS 8507, CentraleSupelec, Univ Paris-Sud, Sorbonne Universites, UPMC Univ Paris 06, 11 rue Joliot Curie, Plateau de Moulon, F-91192 Gif sur Yvette CEDEX, France について
Le Bourhis E. について
Institut P’, CNRS - Univ de Poitiers, 2-Bd M et P Curie, F-86962 Chasseneuil, France について
Microelectronic Engineering について
プロセスパラメータ について
中間結合 について
ケイ素 について
プラズマ について
リン化インジウム について
ダングリングボンド について
界面 について
X線光電子分光法 について
パターン形成 について
キャラクタリゼーション について
表面活性化 について
二層 について
ALCVD について
シリコン上のハイブリッド結合 について
ハイブリッド界面 について
SiO_2A LD(原子層堆積)層 について
表面活性化 について
ダングリングボンド について
固体デバイス製造技術一般 について
固体デバイス材料 について
太陽電池 について
シリコン について
ボイド について
LD について
原子層堆積 について
層 について