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J-GLOBAL ID：201702258558815389   整理番号：17A0617166

異なるスパッタリング圧力を用いたRFマグネトロンスパッタリングにより柔軟基板上に堆積したテルル化アンチモン薄膜の微細構造と電気特性

Microstructure and Electrical Properties of Antimony Telluride Thin Films Deposited by RF Magnetron Sputtering on Flexible Substrate Using Different Sputtering Pressures

著者 (4件)： KHUMTONG T. (King Mongkut’s Inst. Technol. Ladkrabang, Bangkok, THA) ,  SUKWISUTE P. (King Mongkut’s Inst. Technol. Ladkrabang, Bangkok, THA) ,  SAKULKALAVEK A. (King Mongkut’s Inst. Technol. Ladkrabang, Bangkok, THA) ,  SAKDANUPHAB R. (King Mongkut’s Inst. Technol. Ladkrabang, Bangkok, THA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 46  号： 5  ページ： 3166-3171  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： RFマグネトロンスパッタリングプロセスにおける様々なスパッタリング圧力の使用は,結果として生じるSb₂Te₃膜の微細構造および化学量論比に対して重要な影響を与えた。低スパッタリング圧力を用いて堆積した膜は,高いスパッタリング圧力で堆積した膜と比較して,より大きな結晶粒度および改善した結晶性であった。しかしながら,化学量論的Sb₂Te₃薄膜の形成は高いスパッタリング圧力でを実現した。この現象は,Teの蒸気圧が高いことと,スパッタ圧力が高まるにつれて成長する膜に衝突する反射重元素(Sb)の流量が多いことで説明でき,それが膜の組成や構造に影響を与えた。化学量論的膜は,1.06×10^-4Wm^-1K^-2の力率で,最良の熱電性能を示した。

シソーラス用語： *アンチモン化合物 ,  *テルル化物 ,  *薄膜 ,  スパッタ蒸着 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  *圧力 ,  *微細構造 ,  *化学組成 ,  変化
準シソーラス用語： RFマグネトロンスパッタリング ,  *テルル化アンチモン ,  影響 ,  *化学量論組成

分類 (2件)： 電気的性質  (WB02010Y) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： スパッタリング圧力 ,  RFマグネトロンスパッタリング ,  堆積 ,  テルル化アンチモン ,  薄膜 ,  微細構造 ,  電気特性