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J-GLOBAL ID：201702259697318582   整理番号：17A0955386

Si中炭素に関する電子照射後の液体窒素温度での光ルミネセンスによる定量

Quantification of C in Si by photoluminescence at liquid N temperature after electron irradiation

著者 (4件)： TAJIMA Michio (Meiji Univ., Kawasaki, JPN) ,  KIUCHI Hirotatsu (Meiji Univ., Kawasaki, JPN) ,  HIGUCHI Fumito (Meiji Univ., Kawasaki, JPN) ,  OGURA Atsushi (Meiji Univ., Kawasaki, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 10  号： 4  ページ： 046602.1-046602.3  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si中の低濃度Cに関する定量について,電子照射後の液体窒素温度での光ルミネセンス(PL)測定は,液体ヘリウム温度での測定と比べて,実用上の大きい利点を有することを実証した。C関連のC線およびG線の拡幅は,最適化低分散分光計の使用により,これらの線の高感度で速やかな検出を可能にした。バンド端発光に対する強度比と,4.2KでのPL測定に基づいて推定したC濃度との間に,正の相関を見出した。ドーパント不純物関連線の消失は再結合過程を単純化し,定量化精度の改善を示唆した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *不純物 ,  炭素 ,  *電子照射 ,  *光ルミネセンス ,  低温 ,  スペクトル線幅 ,  Czochralski法 ,  不純物濃度 ,  スペクトロスコピー ,  分光計 ,  液体窒素温度 ,  液体He温度
準シソーラス用語： 液体ヘリウム温度

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

引用文献 (20件)：

• K. Takano, A. Kiyoi, and T. Minato, Proc. 27th Int. Symp. Power Semicond. Devices & IC's (ISPSD), 2015, p. 129.
• T. Kojima, R. Suzuki, K. Kinoshita, K. Nakamura, A. Ogura, Y. Ohshita, E. Nishijima, I. Masada, N. Iida, and S. Tachibana, PVSEC-26, 2016, Abstr. No. 2.1.1e.
• R. C. Newman and J. B. Willis, J. Phys. Chem. Solids 26, 373 (1965).
• JEITA EM-3503 (2002).
• SEMI MF-1391-1107 (2004).

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  炭素 ,  電子照射 ,  液体窒素温度 ,  光ルミネセンス ,  定量