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J-GLOBAL ID：201702261158060161   整理番号：17A1355010

GaN基板上に成長させた非常に薄い高Mgドープp~+GaN(20 nm)/GaN層を用いて作製したジャンクションバリアSchottkyダイオード【Powered by NICT】

Junction-barrier Schottky diodes fabricated with very thin highly Mg-doped p⁺-GaN(20 nm)/n-GaN layers grown on GaN substrates

著者 (5件)： Hayashi Kentaro (Research Center for Micro-nano Science Technology, Hosei University, Tokyo, JAPAN) ,  Ohta Hiroshi (Research Center for Micro-nano Science Technology, Hosei University, Tokyo, JAPAN) ,  Tsuge hirohumi (Research Center for Micro-nano Science Technology, Hosei University, Tokyo, JAPAN) ,  Nakamura Tohru (Research Center for Micro-nano Science Technology, Hosei University, Tokyo, JAPAN) ,  Mishima Tomoyoshi (Research Center for Micro-nano Science Technology, Hosei University, Tokyo, JAPAN)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IMFEDK  ページ： 50-51  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低ターンオン電圧接合障壁Schottky(JBS)ダイオードは,n-GaN基板上に成長させたn~-GaNエピタキシャル層の上に置いた非常に薄い(20 nm)と非常に高Mgドープ(2× 10~20 cm~ 3)p~+GaN層を用いて作製した。通常p~+GaN/p GaN/n~-GaN垂直p-n接合ダイオードにおけるp-GaN層を除去することにより,デバイスプロセスを緩和し,低比オン抵抗(R_on<0.3mΩcm~2)が得られた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *Schottky障壁ダイオード ,  接合ダイオード ,  *ダイオード ,  *窒化ガリウム ,  オン抵抗 ,  *ドーピング
準シソーラス用語： エピタキシャル層 ,  ターンオン電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  成長 ,  Mg ,  ドープ ,  作製 ,  Schottkyダイオード