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J-GLOBAL ID：201702261438037415   整理番号：17A0543260

LC共振を利用したSiC-MOSFETの寄生インダクタンスの評価方法

著者 (7件)： 昆野賢太郎 (東京工大) ,  中村悠太 (東京工大) ,  葛本昌樹 (東京工大) ,  赤木泰文 (東京工大) ,  椋木康滋 (三菱電機) ,  堀口剛司 (三菱電機) ,  中山靖 (三菱電機)
資料名： 電気学会全国大会講演論文集(CD-ROM)  (Annual Meeting Record, I.E.E. Japan (CD-ROM))
巻： 2017  ページ： ROMBUNNO.4-007  発行年： 2017年03月05日 
JST資料番号： S0653B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： LC回路 ,  共振 ,  炭化ケイ素 ,  *MOSFET ,  インダクタンス ,  結合係数

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 共振 ,  SiC ,  MOSFET ,  寄生インダクタンス ,  評価方法