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J-GLOBAL ID：201702262615640944   整理番号：17A1544977

インバータ応用における次世代IGBTにより導入されたシュート-スルー現象のモデル化【Powered by NICT】

Modelling of the shoot-through phenomenon introduced by the next generation IGBT in inverter applications

著者 (6件)： Abe S. (Department of Life Science and System Engineering, Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu, Japan) ,  Hasegawa K. (Department of Life Science and System Engineering, Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu, Japan) ,  Tsukuda M. (Green Electronics Research Institute, Kitakyushu, Japan) ,  Wada K. (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Metropolitan University, Tokyo, Japan) ,  Omura I. (Department of Life Science and System Engineering, Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu, Japan) ,  Ninomiya T. (Green Electronics Research Institute, Kitakyushu, Japan)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 76-77  ページ： 465-469  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 貫通現象は,IGBTを用いた高出力インバータのための充分な説明されていない。は負のゲート電圧がオフ状態中のIGBTに適用したためである。最近,消費電力だけでなくゲートドライバのコストの単純化,統合,および低減のための要求を満たすために正のゲート電圧のみを用いた改良型ゲート駆動回路が注目されている。次世代IGBTのしきい値電圧は,ゲート構造の微細加工技術とともに減少する。これは貫通現象は厳しいと次世代IGBTを用いたインバータの信頼性を劣化させる。貫通機構へのIGBTと回路の寄生パラメータの影響はこれまで調べられていない。貫通機構を明らかにし,インバータ信頼性に及ぼす次世代IGBTの影響を調べた。インバータ信頼性に及ぼす漂遊インダクタンスを含むIGBTの内部静電容量の影響を実験的に確認した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 簡素化 ,  信頼性 ,  ゲート回路 ,  *IGBT ,  インダクタンス ,  *モデリング ,  静電容量 ,  消費電力 ,  閾値電圧 ,  高出力 ,  改変
準シソーラス用語： オフ状態 ,  ゲート電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： インバータ ,  応用 ,  次世代 ,  IGBT ,  シュート ,  現象 ,  モデル化