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J-GLOBAL ID：201702263604803565   整理番号：17A0605272

アモルファスIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタにおける不均一電界および温度に基づく非対称劣化のモデリング

Modeling of asymmetric degradation based on a non-uniform electric field and temperature in amorphous In-Ga-Zn-O thin film transistors

著者 (8件)： KIM Jong In (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  JEONG Chan-Yong (Chung-Ang Univ., Seoul, KOR) ,  KWON Hyuck-In (Chung-Ang Univ., Seoul, KOR) ,  JUNG Keum Dong (Samsung Display Co., Ltd, Yongin, KOR) ,  PARK Mun Soo (Samsung Display Co., Ltd, Yongin, KOR) ,  KIM Ki Hwan (Samsung Display Co., Ltd, Yongin, KOR) ,  SEO Mi Seon (Samsung Display Co., Ltd, Yongin, KOR) ,  LEE Jong-Ho (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 32  号： 3  ページ： 035017,1-7  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ガリウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *酸化物 ,  非晶質半導体 ,  *薄膜トランジスタ ,  ストレス ,  *劣化 ,  分布 ,  不均一性 ,  加熱 ,  昇温 ,  欠陥準位 ,  電流電圧特性 ,  容量電圧特性 ,  モデル
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  バイアスストレス ,  自己加熱 ,  電界分布 ,  劣化モデル

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： アモルファス ,  In-Ga-Zn-O ,  薄膜トランジスタ ,  不均一 ,  電界 ,  非対称 ,  モデリング