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J-GLOBAL ID：201702263789007694   整理番号：17A1801619

高および低フラックス放射量のための4H-SiC検出器の利点と限界

Advantages and Limits of 4H-SIC Detectors for High- and Low-Flux Radiations

著者 (5件)： SCIUTO A. (IMM, CNR, Catania, ITA) ,  TORRISI L. (Universita di Messina, S. Agata, ITA) ,  CANNAVO A. (Universita di Messina, S. Agata, ITA) ,  MAZZILLO M. (Universita di Catania, Catania, ITA) ,  CALCAGNO L. (ST-Microelectronics, Catania, ITA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 46  号： 11  ページ： 6403-6410  発行年： 2017年11月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H炭化ケイ素(SiC)エピタキシャル層の優れた電子特性は,放射線検出器の実現に適している。この目的のための,4H-SiC材料の最も魅力的な特性は,ワイドバンドギャップおよび欠陥形成のための高エネルギー閾値である。本稿では,低い照射フラックスおよび高い照射フラックスでの2つの異なる動作レジームで検査された,SiCショットキー検出器の性能について報告する。本研究では,Am供給源から放出されるMeVアルファ粒子フラックス,および300keVイオン注入装置によって加速されたサブMeVアルファ粒子を使用した。さらに,検出器の応答は,低照度(10¹⁰W/cm²)および高照度(10²⁰W/cm²)のnsパルスレーザー生成プラズマから放射される放射線を用い,高い照射フラックスでも調査された。M-SiCとI-SiCの2種類のSiCデバイスが提案され,研究された。前部電極の形状(それぞれ連続的および間欠的),および能動的な検出厚さ(それぞれ80μmおよび4μm)において互いに異なり,広いエネルギー範囲のイオンおよび光子のモニタリングが可能である。M-SiCは5.5MeVのエネルギーで0.5%の分解能を示し,これは市販のシリコン検出器の同じ実験条件で測定した0.2%値よりわずかに高い値であるが,0.29%が最高値のSiC検出器の比べて遜色がなかった。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *半導体放射線検出器 ,  バンドギャップ ,  依存性 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  *エネルギー分解能
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  *欠陥形成 ,  ワイドバンドギャップ ,  照射量依存性

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  放射線検出・検出器  (AD08020J)

タイトルに関連する用語 (6件)： フラックス ,  放射量 ,  4H-SiC ,  検出器 ,  利点 ,  限界